В таких областях, как полупроводники, микронанообработка, оптические покрытия и новые энергетические материалы, подготовка высококачественных пленок является краеугольным камнем производительности устройства. Система химического осаждения в газовой фазе, усиленная плазмой, благодаря своему эффекту усиления плазмы, обеспечивает высокоэффективное осаждение высококачественной пленки при относительно низких температурах и стала ключевым технологическим оборудованием в передовом производстве и исследованиях и разработках.

　　Система PECVDВ основе технологии лежит использование плазменной активности. Активируя реакционный газ (предшественник) в вакуумной полости в плазменном состоянии, образуется большое количество высокоактивных ионов, электронов и свободных радикалов. Эти активные группы значительно снижают энергию активации, необходимую для химических реакций, что дает два основных преимущества:

Способность к низкотемпературному осаждению: Процесс PECVD обычно обеспечивает осаждение пленки при нескольких сотнях градусов по Цельсию или даже ниже по сравнению с температурой базовой пластины, необходимой для традиционного теплового CVD от сотен до тысячи градусов по Цельсию. Эта особенность позволяет широко использовать его в высокотемпературных базовых материалах, таких как пластиковые полимеры, чипы с завершенными металлическими схемами и гибкие электронные базы, что значительно расширяет сценарии применения.

Превосходное качество пленки и регулируемые свойства: пленка, приготовленная PECVD, имеет характеристики плотности, однородности, сильной адгезии и хорошего покрытия ступеней. Благодаря точному контролю таких параметров, как мощность плазмы, давление воздуха, отношение потока газа и температура, можно эффективно регулировать напряжение, скорость преломления, электрические свойства (например, диэлектрическая константа) и отношение химического измерения пленки для удовлетворения разнообразных потребностей применения.

Система PECVD может быть использована для изготовления нескольких функциональных пленок, включая, но не ограничиваясь этим:

1. пленка нитрида кремния: в качестве отличного пассивационного слоя, укрытия и диэлектрического слоя, широко используется в интегральных схемах и солнечных батареях.

2, пленка диоксида кремния: как обычно используемый слой изоляционной среды.

Аморфный кремний / микрокристаллическая кремниевая пленка: для тонкопленочных транзисторов и тонкопленочных солнечных элементов.

4. Алмазоподобная углеродная пленка: используется для износостойких, антифрикционных защитных покрытий.

Система PECVD успешно сочетает в себе высокую скорость осаждения, отличное качество пленки и мягкие технологические условия. Его появление является крупным скачком в технологии производства тонкой пленки и обеспечивает сильную техническую поддержку для развития современной высокотехнологичной промышленности.