Для удовлетворения таких областей, как исследования материалов, испытания электронных компонентов, спекание керамики и высокотемпературный физический анализ, Beijing Huawei измерительно - испытательный прибор Co., Ltd. запустила новое поколение тестовой платформы для контроля температуры. Платформа объединяет характеристики управления температурой, гибкую конфигурацию и совместимость в одном, предназначена для научно - исследовательских институтов, университетских лабораторий и производственных предприятий, чтобы помочь пользователям в различных температурных условиях для достижения измерения электрических параметров.

I. Технические параметры

Термоохват: Поддержка непрерывного регулируемого диапазона температур от комнатной температуры (RT) до 800 °C для удовлетворения потребностей в исследованиях высокотемпературных свойств различных материалов.

Точность контроля температуры: использование алгоритма управления температурой PID, точность контроля температуры до ± 0,25 °C, чтобы обеспечить высокую степень повторяемости и надежности экспериментальных данных.

Стратегия нагрева: наклон нагрева может быть установлен в диапазоне от 0,5 ° C / мин до 20 ° C / мин.

Высокое разрешение: температурное разрешение до 0,1°C.

Способность к тепловому реагированию: Типичная скорость нагрева до 3°С / мин, до + 20°С / мин.

Настройка зонда: стандартный высокотемпературный зонд рения - вольфрама (Re - W), высокотемпературный, подходит для испытаний на стабильный контакт в условиях высокой температуры.

Совместимость с устройствами: бесшовная адаптация основных отраслевых исходных измерительных блоков (SMU), таких как Keysight / суточная настройка и т. Д. Для интерполяции и использования, интеграция существующих тестовых систем.

Конструкция образца: поддерживает круглые или квадратные образцы диаметром 40 мм с учетом универсальности и практичности.

II. Сценарий применения:

Тестирование на перенос высокотемпературных носителей в полупроводниковых материалах

резисторно - температурный анализ новой функциональной керамики / оксида

Оценка тепловой устойчивости материалов фазового перехода

Разработка высокотемпературных сверхпроводящих, термоэлектрических материалов

Проверка надежности микроэлектронных устройств