-
Электронная почта
cindy_yst@instonetech.com
-
Телефон
18600717106
-
Адрес
Улица Аэропорта района Шуньи, Пекин
Beijing Yingsitao Technology Co., Ltd
Основные технические секреты: принцип работы ионного распылителя и анализ уникальных конструктивных характеристик
Дата:2025-10-18Читать:1
прибор для ионного распыленияЯвляется основным оборудованием для подготовки тонких пленок с высокой чистотой и высокой связью металла / соединения, которые достигают атомного осаждения с помощью мишеней ионной бомбардировки и широко используются в полупроводниковых чипах, оптических устройствах и наноматериалах. Понимание его принципов работы и конструктивных характеристик является ключом к оптимизации производительности пленки.
I. Принцип работы:
Ядром ионного распыления является « перенос импульса». Устройство производит плазму (содержащую большое количество ионов Ar ⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺S) посредством разряда газа (обычно аргон, чистота > 99999;999%), и под действием электрического поля высокого давления (обычно от - 300V до - Ионы при эластичном столкновении с атомами - мишенями передают кинетическую энергию атомам - мишеням (отдельные ионы Ar ⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺⁺ После того, как атомы, испускаемые брызгами, ускоряются через область плазмы, они оседают с определенной энергией (обычно 1 - 10 эВ) на поверхность фундамента (например, кремниевые пластины, стекло), образуя плотную и однородную пленку.
Для магнитных мишеней (например, железа, кобальта) требуется технология магнитного распыления - на задней стороне мишени размещен постоянный магнит (образуется замкнутое магнитное поле), удерживающий плазму вблизи поверхности мишени (плотность плазмы увеличивается в 10 - 100 раз), что снижает напряжение распыления (с 1000 В до 300 - 500 В), уменьшает тепловое повреждение фундамента и повышает скорость осаждения (до нескольких микрон в час).
II. Уникальные особенности дизайна:
1. Конструкция связи между мишенью и магнитным полем: магнитная компоновка (например, кольцевой магнит или комплементарный магнит) с магнитным распылением непосредственно влияет на распределение плазмы. Например, магнитная сила равновесного магнитного распыления с магнитным управлением составляет около 0,01 - 0,1Т на поверхности мишени, что позволяет плазме концентрироваться в центральной области мишени, обеспечивая однородность распыления (отклонение < ±5%); Неравномерное магнитно - управляемое распыление усиливает магнитное поле на краю мишени, направляя плазму к фундаменту и повышая сцепление пленки с фундаментом (сцепление > 10N / cm).
2. Многоцелевая система совместного распыления: для подготовки пленки соединения (например, TiN, ITO) оборудование оснащено несколькими мишенями (например, титановой мишенью + азотом, индиевой мишенью + оловянной мишенью + кислородом), которые самостоятельно контролируют мощность распыления каждой мишени (точность ±1 Вт) и точно регулируют состав пленки (например, соотношение ITO O и SNOneneneek составляет 9: 1, а удельное сопротивление может быть снижено до 10 8315,0.
3. Модуль управления вакуумом и газом: использование молекулярного насоса (предельная вакуум < 10 ⁻Pa) и контроллера потока массы (MFC, точность потока ± 0,5 sccm), точное регулирование разделения давления рабочего газа (например, аргона, кислорода) и пропорции (обычно 0,1 - 10pa) (например, отношение кислорода к аргону от 1: 9 до 3: 7), контроль химического измерительного отношения пленки к микроструктуре (например, кристаллическая форма пленки оксида алюминия переходит из гамма - фазы в альфа - фазу).
4. Система подогрева и смещения фундамента: подогревательный стенд фундамента (комнатная температура в диапазоне температур - 800 °C) может регулировать кристаллизацию пленки (например, аморфная кремниевая пленка после отжига при температуре 500 °C преобразуется в поликристаллическую, скорость переноса носителей увеличивается в 10 раз); Смещение фундамента (от - 50В до - 500В) ускоряет ионную бомбардировку с помощью электрического поля, повышает плотность пленки (пористость < 1%) и улучшает покрытие ступеней (для осаждения сложных микроструктурных поверхностей).
прибор для ионного распыленияБлагодаря научному механизму « ионная бомбардировка - атомное высвобождение - направленное осаждение» и точному инженерному проектированию была реализована подготовка тонкой пленки от небольших лабораторных образцов до крупногабаритного фундамента промышленного класса, который является ключевым инструментом в современной технике поверхности материала.