Настольная система осаждения атомного слоя (ALD) представляет собой нано - тонкопленочное осадочное оборудование, основанное на самоограничивающей реакции поверхности, которое подходит для лабораторных и мелкомасштабных промышленных сценариев и характеризуется высокой точностью, сильной конформностью и широкой совместимостью материалов.
Структурные особенности (преимущества рабочего стола)
Миниатюрный дизайн: компактный по размеру (как правило, настольный или вертикальный небольшой шкаф), занимает небольшое лабораторное пространство и не требует отдельного чистого отсека или больших вспомогательных средств.
Небольшой объем реакционной полости (обычно от нескольких миллилитров до нескольких десятков миллилитров) и низкий расход прекурсоров подходят для экспериментальных исследований ценных / редких прекурсоров.
Удобность работы: оснащен визуальным сенсорным интерфейсом, поддерживает графическое редактирование программы осаждения (устанавливает время импульса предшественника, время продувания, температуру, количество циклов и другие параметры).
Образцы загружаются просто, в основном с использованием небольшого стенда для образцов (адаптируется к кристаллическим пластинам, базовым пластинам, порошкам, микронаноустройствам и другим формам образцов), некоторые модели поддерживают автоматический ввод проб.
Мягкие технологические условия: широкий диапазон температур осаждения (комнатная температура до 400 °C, некоторые модели до 500 °C), чтобы удовлетворить потребности реакции различных предшественников, подходящих для непроницаемого к высокой температуре основания (например, полимеры, гибкие материалы).
Рабочее давление в основном является атмосферным или низким вакуумом (10 ⁻1 ~ 10 ⁻mbar), не требует высоковакуумных агрегатов, снижает стоимость оборудования и сложность обслуживания.
Точный контроль: оснащен высокоточным контроллером потока массы (MFC), который точно контролирует поток импульсов предшественника и продувания инертным газом.
Температурная однородность стенда образца хороша (±1 ~ ±3 °С), обеспечивая однородность толщины пленки на поверхности фундамента (неравномерность < ±2%).
сценарий применения
Полупроводники и микроэлектроны: осаждающие высокоK - затворные диэлектрические пленки (например, Alnenenebk Oneneneer, HfOneneneek), металлические электродные пленки (например, TiN, W) для разработки микротранзисторов и датчиков.
Новые энергетические материалы: осаждение защитной пленки (например, LiPON) на поверхности электрода литиевой батареи, осаждение отражающего покрытия (например, SiOneneneek, TiOneneneek) на поверхности фотоэлектрической батареи для повышения эффективности и стабильности устройства.
Функциональное покрытие: подготовка антикоррозионного покрытия, износостойкого покрытия, гидрофобного / ультрагидрофильного покрытия для модификации поверхности прецизионного прибора.
Изменчивость наноматериалов: покрытие поверхности наночастиц, углеродных нанотрубок, материалов MOFs, регулирование их оптических, электрических и каталитических свойств.