Добро пожаловать Клиент!

Членство

Помощь

Beijing Yingsitao Technology Co., Ltd
Заказчик производитель

Основные продукты:

instrumentb2b> >Статья

Beijing Yingsitao Technology Co., Ltd

  • Электронная почта

    cindy_yst@instonetech.com

  • Телефон

    18600717106

  • Адрес

    Улица Аэропорта района Шуньи, Пекин

Свяжитесь сейчас
Любимец группы - научно - исследовательская настольная система осаждения атомных слоев (настольный ALD)
Дата:2025-08-18Читать:1

Атомная система отложений из Гарварда.

Научная система осаждения атомных слоев.

Популярная программа ALD.

Маленький и красивый Ald

Вы достойны иметь!

Insontech - Главное представительство компании Anric Technologies в Китае

компанией Anric TechnologiesОснована в 2014 году известным экспертом по технологии ALD в Гарвардском университетеПрофессор Рой ГордонИсследователи создали, чтобы заполнить рынокНебольшие настольные отложения(Устройства ALD) Пробелы - это инструменты проектирования и оптимизации для университетов, стартапов, компаний, изучающих технологию осаждения атомных слоев (ALD), запуска пилотных производственных линий и профессиональных производителей.


Компания специализируется на исследованиях процессов и оборудования ALD, и ее основные технические члены из Гарвардского университета, которые накопили богатый опыт в процессе ALD и могут предложить клиентам сложные решения для адаптации процессов.Небольшие образцы и недорогие пользователивариантА.


1

Атомные отложения (ALD) Краткое описание

Атомно - слойное осаждение представляет собой особый метод химического осаждения в газовой фазе и представляет собой метод формирования пленки путем чередования предшественников газовой фазы в реакционную камеру и химической реакции газа - твердости на поверхности осадочной матрицы. ALD обычно состоит из полуреактивных последовательностей A и B, характеризующихся поверхностной самоограниченностью, превосходной трехмерной конформностью, однородностью большой площади, субмонолитным контролем толщины мембраны и низкой температурой роста.


2

принцип осаждения в атомном слое

Принцип роста ALD заключается в попеременном осаждении реакционных предшественников, осаждающих пленку по слоям на поверхности фундамента.

Цикл осаждения в атомном слое можно разделить на четыре этапа:

1. Включение первого предшественника: импульс первого предшественника в реакционную камеру для химической адсорбции с поверхностью матрицы;

2. Очистка инертным газом: очистка реакционной камеры инертным газом (например, азотом или газом) для удаления первого непродуктивного предшественника и побочных продуктов реакции;

3. Включение второго предшественника: подача импульса второго предшественника в реакционную камеру в результате химической реакции с первым предшественником, адсорбированным на поверхности матрицы, для образования пленки;

Повторная очистка инертным газом: повторное удаление неактивного второго предшественника и побочных продуктов инертным газом.

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)


3

ALD Сравнение с другими процессами осаждения пленки

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)


4

Применение ALD

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)


5

Основные преимущества продукции

Техническая поддержка специалистов в данной области

Небольшой и компактный (занимает меньше места)

Камера низкой емкости означает быстрое осаждение и сокращение отходов предшественников, а также проникновение в трехмерные структуры.

Быстрый подогрев (и охлаждение)

Короткое расстояние между предшественником и камерой (уменьшение вероятности засорения трубопровода)

Звездные продукты




AT 200M Термоатомные отложения

Самый маленький АЛД на рынке

Он достаточно мал, чтобы положить его в бардачку.

Как сделать порошок

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)


AT 200M Plus Plasma + Термоатомные отложения


课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)


课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

AT410 / 610 / 810 Тепловые типы

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)


AT650P / 850P (плазменное усиление) AT650T / 850T (тепловой тип)

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)


AT - LT Термоатомная система осаждения

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

глобальный100МногиеКлиенты повторно покупают

номер

клиент

область применения

1

Lam Research (6 шт.)


2

Гарвардский университет


3

Хельсинкский университет

Клиенты Mikko Ritala and Matti Putkonen

4

Университет Васеда (несколько станций)

Датчики, модификация поверхности, фотолитография с нанопечатью, усовершенствованное изготовление сквозных отверстий (AlST)

5

Национальный институт материаловедения (NIMS) # 1

Фононы на поверхности и пленке, низкоразмерная изокинетика атомного масштаба, спин - орбитальное деление в наноматериалах

6

Национальный институт материаловедения (NIMS) # 2

Спин - корреляционная транспортировка в углеродных нанотрубках, производство и молекулярная транспортировка в нанотрубках, производство щелей в графене, органические транзисторы

7

Токийский университет

Процесс ALD

8

Токийский университет

д-р Онайя

9

Оксфордский университет (2 и более)

Клиент Sebastian Bonilla

10

Precision TEM Санта-Клара, Калифорния

Подготовка образцов: HfOneneneek, AlOnenenebj

11

Северо - Западный университет (США)


12

Кембриджский университет (Великобритания)


13

Пекинский институт квантовой информатики


14

ENS - Paris (Франция, Высший педагогический институт)


15

Университет Райса


16

Университет Британской Колумбии (Канада)


17

Компания AMAT - Applied Materials


18

Частная компания (Pivate Company)

(Портленд, штат Орегон, США) 2.

Подготовка образцов TEM: HfOneneneek, AI2Onenenebd, Ta2O





课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)