-
Электронная почта
cindy_yst@instonetech.com
-
Телефон
18600717106
-
Адрес
Улица Аэропорта района Шуньи, Пекин
Beijing Yingsitao Technology Co., Ltd
cindy_yst@instonetech.com
18600717106
Улица Аэропорта района Шуньи, Пекин
компанией Anric TechnologiesОснована в 2014 году известным экспертом по технологии ALD в Гарвардском университетеПрофессор Рой ГордонИсследователи создали, чтобы заполнить рынокНебольшие настольные отложения(Устройства ALD) Пробелы - это инструменты проектирования и оптимизации для университетов, стартапов, компаний, изучающих технологию осаждения атомных слоев (ALD), запуска пилотных производственных линий и профессиональных производителей.
Компания специализируется на исследованиях процессов и оборудования ALD, и ее основные технические члены из Гарвардского университета, которые накопили богатый опыт в процессе ALD и могут предложить клиентам сложные решения для адаптации процессов.Небольшие образцы и недорогие пользователивариантА.
Атомные отложения (ALD) Краткое описание
Атомно - слойное осаждение представляет собой особый метод химического осаждения в газовой фазе и представляет собой метод формирования пленки путем чередования предшественников газовой фазы в реакционную камеру и химической реакции газа - твердости на поверхности осадочной матрицы. ALD обычно состоит из полуреактивных последовательностей A и B, характеризующихся поверхностной самоограниченностью, превосходной трехмерной конформностью, однородностью большой площади, субмонолитным контролем толщины мембраны и низкой температурой роста.
принцип осаждения в атомном слое
Принцип роста ALD заключается в попеременном осаждении реакционных предшественников, осаждающих пленку по слоям на поверхности фундамента.
Цикл осаждения в атомном слое можно разделить на четыре этапа:
1. Включение первого предшественника: импульс первого предшественника в реакционную камеру для химической адсорбции с поверхностью матрицы;
2. Очистка инертным газом: очистка реакционной камеры инертным газом (например, азотом или газом) для удаления первого непродуктивного предшественника и побочных продуктов реакции;
3. Включение второго предшественника: подача импульса второго предшественника в реакционную камеру в результате химической реакции с первым предшественником, адсорбированным на поверхности матрицы, для образования пленки;
Повторная очистка инертным газом: повторное удаление неактивного второго предшественника и побочных продуктов инертным газом.

ALD Сравнение с другими процессами осаждения пленки

Применение ALD

Основные преимущества продукции
Техническая поддержка специалистов в данной области
Небольшой и компактный (занимает меньше места)
Камера низкой емкости означает быстрое осаждение и сокращение отходов предшественников, а также проникновение в трехмерные структуры.
Быстрый подогрев (и охлаждение)
Короткое расстояние между предшественником и камерой (уменьшение вероятности засорения трубопровода)
AT 200M Термоатомные отложения
Самый маленький АЛД на рынке
Он достаточно мал, чтобы положить его в бардачку.
Как сделать порошок

AT 200M Plus Plasma + Термоатомные отложения


AT410 / 610 / 810 Тепловые типы




AT650P / 850P (плазменное усиление) AT650T / 850T (тепловой тип)


AT - LT Термоатомная система осаждения


глобальный100МногиеКлиенты повторно покупают | ||
номер |
клиент |
область применения |
1 |
Lam Research (6 шт.) |
|
2 |
Гарвардский университет |
|
3 |
Хельсинкский университет |
Клиенты Mikko Ritala and Matti Putkonen |
4 |
Университет Васеда (несколько станций) |
Датчики, модификация поверхности, фотолитография с нанопечатью, усовершенствованное изготовление сквозных отверстий (AlST) |
5 |
Национальный институт материаловедения (NIMS) # 1 |
Фононы на поверхности и пленке, низкоразмерная изокинетика атомного масштаба, спин - орбитальное деление в наноматериалах |
6 |
Национальный институт материаловедения (NIMS) # 2 |
Спин - корреляционная транспортировка в углеродных нанотрубках, производство и молекулярная транспортировка в нанотрубках, производство щелей в графене, органические транзисторы |
7 |
Токийский университет |
Процесс ALD |
8 |
Токийский университет |
д-р Онайя |
9 |
Оксфордский университет (2 и более) |
Клиент Sebastian Bonilla |
10 |
Precision TEM Санта-Клара, Калифорния |
Подготовка образцов: HfOneneneek, AlOnenenebj |
11 |
Северо - Западный университет (США) |
|
12 |
Кембриджский университет (Великобритания) |
|
13 |
Пекинский институт квантовой информатики |
|
14 |
ENS - Paris (Франция, Высший педагогический институт) |
|
15 |
Университет Райса |
|
16 |
Университет Британской Колумбии (Канада) |
|
17 |
Компания AMAT - Applied Materials |
|
18 |
Частная компания (Pivate Company) (Портленд, штат Орегон, США) 2. |
Подготовка образцов TEM: HfOneneneek, AI2Onenenebd, Ta2O |
