Рентгеновский спектрометр(X - ray Emission Spectrometer) - научный прибор для качественного, количественного анализа элементов и изучения структуры вещества путем обнаружения характерных рентгеновских лучей, излучаемых веществом после возбуждения. Его основные принципы основаны на характерных рентгеновских лучах, генерируемых электронными переходами внутри атома, и имеют преимущества высокой чувствительности, неразрушающего и многоэлементного одновременного обнаружения.

　　Рентгеновский спектрометрСценарий применения:

Материаловедение

Представление катализатора: отслеживание динамической эволюции структуры активного центра в электрокаталитической реакции. Например, команда HKU использовала технологию ED - XAFS с миллисекундным временным разрешением для захвата процесса депротона гидроксида никеля и железа в реакции кислородного анализа и образования дорогостоящего вида Nitr.

Анализ состава сплава: быстрое определение основного количества и содержания микроэлементов в металлическом материале, руководство оптимизацией процесса.

Геологическая разведка и минеральный анализ

Определение сортности руды: XRF (рентгеновский флуоресцентный спектрометр) может обнаруживать содержание редкоземельных элементов в руде без потерь, например, портативный XRF - прибор « Seako Guardian K5» для таможенного контроля за экспортом редкоземельных элементов.

Минеральный фазовый анализ: в сочетании с преимуществами высокого разрешения WDS (спектрометр с дисперсией длин волн) дифференцирует распределение микроэлементов в минералах.

Экологический мониторинг

Анализ атмосферных частиц: XRF является одним из трех основных средств анализа элементов PM2.5, одновременно обнаруживая более 20 элементов, таких как Al, Si, S и Cl.

Оценка загрязнения почвы: Быстрый скрининг загрязненных участков тяжелых металлов (например, Pb, Cd, As).

Промышленный контроль качества

Обнаружение литиевых батарей: XRF используется для количественной оценки элементов положительного материала тройной батареи, чтобы избежать злоупотребления, ведущего к взрыву, и обеспечить срок службы.

Производство полупроводников: обнаружение металлического загрязнения поверхности кристаллического круга, контроль хорошего коэффициента.

V. ТЕНДЕНЦИИ В ОБЛАСТИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ