В настоящее время полупроводниковые материалы и устройства третьего поколения достигли скачка от исследований и разработок до массового производства, вступили в стадию быстрого развития индустриализации, достигли прорыва во многих областях применения, таких как новые энергетические автомобили, высокоскоростные поезда, связь 5G, фотоэлектрическая и потребительская электроника. На международном уровне глобальный капитал ускоренно вошел в область полупроводниковых материалов и приборов третьего поколения, значительно улучшились производственные мощности, частые слияния и поглощения предприятий, а полупроводниковая промышленность третьего поколения находится на стадии « перехвата» до вспышки. Внутренний аспект, 14 - й пятилетний план Китая и « План перспективных целей 2035 года» четко показывают, что Китай ускорит процесс индустриализации новых технологий для полупроводниковых материалов третьего поколения, представленных карбидом кремния SiC и нитридом галлия Gan, и породит ряд быстрорастущих предприятий по производству новых материалов. Следующие 3 - 5 лет станут ключевым периодом для развития полупроводниковой промышленности третьего поколения в Китае.

Исходя из этого, компания Hunan Fu Lii Creational Technology Co., Ltd. организовала 1 июня 2023 года персонал для участия в семинаре по полупроводниковым сверхточным аналитическим технологиям и приложениям, углубленно обсудив потребности полупроводниковой промышленности, динамику исследований полупроводниковых высокочистых материалов и технологический прогресс, для исследователей промышленности и исследователей предприятий, чтобы открыть идеи для содействия здоровому развитию полупроводниковой промышленности.