Микроскопическая термостат зонда - это научный прибор, который сочетает в себе испытания зонда с контролем температуры и в основном используется для тестирования электрических свойств полупроводниковых приборов в условиях высокой / низкой температуры. Может быть реализован от - 190 ° C до + 600 ° C для точного контроля температуры, поддержки быстрого нагрева / охлаждения (1 - 200 ° C / min), подходит для спекания материала, анализа точки плавления и других экспериментов. Оснащен прецизионной зондовой системой, которая поддерживает испытания постоянного тока / радиочастоты, измеряет сопротивление чипа, проверку надежности и проверку температурных характеристик в условиях высокой температуры / низкой температуры. Совместимый с оптическим микроскопом, можно наблюдать микроструктурные изменения, такие как жидкий пакет, расплавленный пакет и т. Д., Применимый к минералогии, материаловедению и другим областям. А
Его основные функции заключаются в следующем:
Управление широким диапазоном температур: управление широким диапазоном температур от - 190°C до 1000 °C с помощью технологии охлаждения жидким азотом, нагрева сопротивления или полупроводникового охлаждения (эффект Пельтье).
Электротехнические испытания зонда: оснащены трехосной платформой прецизионного смещения X / Y / Z (например, точность смещения 1 мкм), поддерживающей выравнивание зонда с поверхностью образца на уровне микрон для достижения электрической проводимости, кривой IV и других испытаний электрических свойств. Например, в исследованиях полупроводниковых приборов можно точно измерить электрические свойства образцов на уровне кристаллов при различных температурах.
Синергия микроизображений: интегрированные оптические прозрачные окна (например, сапфировое стекло) или конструкция световых отверстий, совместимые с оптическим микроскопом, флуоресцентным микроскопом и спектрометром Рамана и другими устройствами, для достижения микроструктуры образца в процессе изменения температуры в режиме реального времени. Например, в материаловедении можно наблюдать изменения структуры решетки высокомолекулярных материалов во время фазового перехода.
сценарий применения
• Испытание полупроводников : Оценка электрической устойчивости чипа при температуре * *. А
Исследование материалов : изучение термофизических свойств, таких как коэффициент теплового расширения, температура фазового перехода и т.д. А
• Промышленное тестирование : проверка термостойкости и надежности автомобильных деталей и электронных компонентов.