Производство решетки GaNLED: Xiamen Central Crystal Research Semiconductor Co., Ltd. использует систему травления плазмы Nordson MarchRIE - 1701, используя плазму SF6 для изготовления светодиодной решетки (LED) из нитрида галлия (GaN). 2 - дюймовый экстенсивный пластин на основе сапфира GaNLED разрезается на чип 1cm × 1cm, а Cu используется в качестве материала для маскировки и записывается с помощью ультрафиолетовой литографии. Во время травления изучалось влияние различных радиочастотных мощностей и подложек носителя на скорость травления GaN, а также шероховатость поверхности, вызванная травлением. В конечном итоге была успешно создана светодиодная решетка высокой плотности, которая улучшает однородность травления и шероховатость поверхности за счет добавления подложки носителя и снижает контактное сопротивление между металлом и GaN при высокотемпературном отжиге.

Продвинутый чип для нанесения переднего хода: Primonanova ® Устройства для плазменной гравировки с индуктивной связью, используемые для гравирования 7 нм, 5 нм и более современных полупроводниковых приборов. Устройство использует независимую интеллектуальную собственность на технологию плазменного травления с индуктивной связью, имеет полностью симметричную реакционную полость, сверхвысокую скорость накачки молекулярного насоса и другие инновационные конструкции. Может использоваться для различных процессов резания проводников, таких как мелкая канавка с изоляцией (STI), поликристаллическая кремниевая сетка резания; Он также может использоваться для диэлектрического травления, такого как травление щелевой стенки (SpacerEtch) и т. Д., Может обеспечить более широкое технологическое окно для производства чипов, для достижения более низких производственных затрат, нормальная работа на нескольких производственных линиях клиента, хорошая скорость стабильна.

8 - дюймовое затворное травление: в процессе затворного травления 8 - дюймового круга комбинированная система GXS поставляется с плазменным травителем. Данные о производстве на заводе по производству микросхем показывают, что комбинация стабилизирует вакуум резьбовой полости на уровне 5×10 ⁻mbar, так что скорость резания SiOneneneek достигает 1200 на минуту, а ошибка однородности внутри пластины составляет 1,5%. По сравнению с ранее использовавшейся схемой масляных сальниковых насосов, коэффициент дефектов после травления снизился с 0,35% до 0,08%, а годовая мощность одного оборудования увеличилась примерно на 2300 штук.

Процесс межсоединения полупроводниковой меди: в процессе межсоединения полупроводниковой меди для обработки оксидного слоя металла используется плазменная гравировальная машина. Благодаря конкретному процессу остатки окислительного слоя могут контролироваться на уровне < 0,5 нм, что эффективно повышает качество процесса. В упаковке с кристаллическим кругом коэффициент хорошей продукции после использования этого процесса увеличился с 92% до 99,6%.