Улучшение однородности травления плазменной травильной машины может начинаться с оптимизации конструкции оборудования и регулирования технологических параметров следующим образом:
Оптимизация проектирования оборудования
Установка фокусирующего кольца: фокусирующее кольцо, установленное вокруг края кристаллической окружности, может заполнить разницу в высоте между краем кристаллической окружности и электродом, сделать слой оболочки более плоским, обеспечить, чтобы ионы могли бомбить поверхность кристаллической окружности вертикально, избегая искажений травления, тем самым улучшая однородность травления.
Оптимизация распределения реакционных газов: повышение однородности травления путем оптимизации инъекции реакционных газов. Например, силиконовые резьбовые полости могут постепенно переходить от способа впрыска газа вокруг кристаллического круга к инъекции над центром кристаллического круга.
Регулирование расстояния между верхними и нижними пластинами: в полости плазмы с конденсаторной связью (CCP) зазор между катодом и анодом является ключевым параметром, влияющим на однородность потока ионов. Как правило, чем меньше зазор, тем лучше однородность плазмы, вы можете использовать технологию регулируемого зазора для оптимизации распределения потока ионов в соответствии с различными технологическими условиями.
Применение зонального терморегулирования: температура кристаллической окружности является ключевым фактором, влияющим на однородность травления, электростатический патрон (ESC) может оптимизировать однородность температуры путем введения различных зон нагрева или охлаждения, таких как переход от раннего однозонального терморегулирования к двухзональному, четырехзональному терморегулированию и даже развертывание более 100 местных нагревательных элементов для дальнейшего повышения точности температурного контроля.
Регулирование технологических параметров
Оптимизация состава газа и способа инжекции: отрегулируйте положение инжекции основного реакционного газа или введите регулируемый газ в разных местах, чтобы контролировать химическую среду газовой фазы на кристаллической окружности и улучшить однородность травления.
Увеличение радиочастотной мощности: соответствующее увеличение радиочастотной мощности может увеличить энергию падающей частицы, сделать ее более вертикальной бомбардировкой целевой поверхности, тем самым уменьшая разницу в скорости травления боковой стенки, что помогает уменьшить эффект микроканавки и улучшить однородность травления.
Внедрение прерывистого травления: путем периодического прерывания процесса травления, чтобы дать электрону достаточно времени, чтобы убежать, вы можете значительно уменьшить эффект зарядки, а затем улучшить однородность травления.
Компенсационное технологическое управление: когда скорость травления на одном этапе выше в центральной области, она может быть компенсирована за счет увеличения скорости травления на краю, например, за счет точного управления с помощью платформы BevelEtch.