тонкопленочные отложенияЭто слой пленки на основной подложке полупроводника. Эта пленка может иметь широкий спектр материалов, таких как изоляционное соединение диоксид кремния, полупроводниковый поликристаллический кремний, металлическая медь и так далее.Это оборудование, используемое для покрытия, называется тонкопленочным осадочным оборудованием.

С точки зрения процесса изготовления полупроводниковых чипов, он находится в переднем процессе.

Процесс изготовления пленкиВ соответствии с методом формирования пленки его можно разделить на две основные категории:Физическое осаждение в газовой фазе (PVD) и химическое осаждение в газовой фазе (CVD),средиТехнологическое оборудование CVD имеет более высокую долю.

Физическое осаждение в газовой фазе (PVD)Газификация поверхности источника материала и осаждение на поверхности матрицы через газ / плазму низкого давления, включая испарение, распыление, ионный пучок и т.д.

Химическое осаждение в газовой фазе (CVD)Это относится к процессу осаждения слоя твердой пленки на поверхности кремниевой пластины путем химической реакции, смешанной с газом, которая в зависимости от условий реакции (давление, предшественник) делится на CVD при постоянном давлении (APCVD), CVD при низком давлении (LPCVD), CVD при плазменном усилении (PECVD), CVD при высокой плотности плазмы (HDPCVD) и осаждение в атомном слое (ALD).