Вакуумный плазменный дегельминт через высокоэнергетические ионы на поверхности кристаллической окружности фоторезиста для эффективного удаления, широко используется в производстве полупроводников, микронанообработке и других областях. Его эксплуатация должна строго следовать следующим стандартным процессам для обеспечения технологической стабильности и хорошей работы устройства:

I. ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ПОДГОТОВКА

1. Предварительная обработка образцов: обрабатываемый кристаллический круг должен заранее завершить процесс экспозиционного проявления, образуя полную графическую клеевую пленку. Используйте азот для продувания поверхностных частиц, чтобы избежать примесей, мешающих плазменной реакции. При наличии металлического слоя необходимо подтвердить, покрывает ли защитная маска.

2. Самоконтроль оборудования: проверка герметичности системы циркуляции охлаждающей воды (температура воды составляет 25°C), линий радиочастотного питания RF и вакуумных трубопроводов перед загрузкой. Запустите программное обеспечение управления для выполнения диагностической программы, чтобы убедиться, что каждый датчик (например, конденсаторный измеритель Майерса, расходомер массы) работает нормально.

3. Загрузка технологической формулы: выбор заданных технологических параметров в соответствии с толщиной коллоида (типичное значение 1 - 10 мкм): соотношение кислорода / аргона в смеси (обычно Oneneneek: AR = 1: 4), вакуум в нижней части камеры (< 5 × 10 ⁻mbar), плотность мощности радиочастоты (0,5 - 2W / cm²) и время обработки (60 - 180 секунд).

II. Основные оперативные шаги

1. Позиция и фиксация несущей платформы: синяя пленка или патрон, содержащие кристаллическую окружность, с точностью помещаются в центр несущей станции электрода, предварительно накачиваются механическим насосом до низкого вакуума (около 10 м3 Па), активируется фиксированный образец функции электростатической адсорбции. При многокристальной обработке необходимо поддерживать расстояние между пластинами ≥5 мм для предотвращения последовательных помех.

2. Постепенная вакуумная накачка: Запуск турбомолекулярной насосной группы, создание высоковакуумной среды в соответствии с двумя этапами « грубой откачки → точной откачки ». Мониторинг вакуумных кривых в режиме реального времени, поддерживается в течение 30 секунд после падения давления до технологического порога для сброса остаточного водяного пара.

3. Плазменное возбуждение: медленное увеличение мощности РЧ до заданного значения, синхронный импорт технологического газа. Наблюдая цвет тлеющего разряда (обычно сиреневый), аномальное беление указывает на то, что слишком высокая мощность может привести к повреждению кремниевых пластин. Этот этап требует постоянного мониторинга сопротивления, соответствующего коэффициенту отражения сети (VSWR < 1.5).

4. Динамическое управление травлением: использование сегментной стратегии выхода энергии, высокомощное быстрое разрушение мембраны в передней части, тонкое регулирование скорости бокового травления в задней части снижения мощности. При оснащении модулем конечного обнаружения реакция может быть автоматически прекращена путем излучающей мутации спектральной интенсивности.

III. Закрытие и последующая обработка

Безопасный сброс давления: после выключения радиочастотного источника продолжается поступление остаточных активных частиц, замещаемых инертным газом, и ступенчатое наполнение сухим азотом восстанавливает атмосферное давление. Обратите внимание, что скорость выхлопа должна быть < 5 мбар / с, чтобы предотвратить выпадение частиц в результате удара воздушного потока.

2. Отбор проб для обнаружения: сразу же после взятия образца проводится сканирование CD - SEM для подтверждения графической целостности, а толщина остаточного клея измеряется с помощью эллипсоида (требуется < 5 нм). При появлении феномена поплавка необходимо отрегулировать последующие условия мягкого выпечки (90 - 120°C, 30 секунд).

3. Техническое обслуживание оборудования: Очистить резервуары для сбора побочных продуктов реакции и заменить кварцевую футеровку полости обработки с циклом обработки более 50 раз. Регулярно калибруйте контроллер потока массы (MFC) и очищайте поверхностные полимерные отложения электростатического присоса.

IV. Ключевые вопросы, требующие внимания

Безопасность: Операторы должны носить противоультрафиолетовые маски, запрещающие прямое визуальное зрение плазмы. Местоположение кнопки аварийного останова должно быть четко обозначено.

Технологическая совместимость: для трехмерной топологической структуры рекомендуется использовать режим импульсной модуляции для уменьшения эффекта накопления заряда. Воздействие фторсодержащих резиновых колец на кислородную плазму ускоряет старение и требует регулярной замены.

Предотвращение и контроль загрязнения: Органические растворители строго запрещены в вакуумные камеры, до и после каждого эксперимента необходимо протирать внутреннюю стенку полости безводным этанолом. Система обработки отходов должна быть оборудована фильтром из активированного угля для адсорбции летучих органических веществ.

Благодаря стандартизации выполнения вышеуказанного процесса можно эффективно контролировать однородность скорости удаления клея (±3%), гарантировать точность рисунка и в то же время продлить цикл обслуживания оборудования. На практике необходимо оптимизировать комбинацию параметров в сочетании с конкретными технологическими потребностями и создать систему управления процессом SPC для достижения согласованности между партиями.