Высокоточная технология резки полупроводниковой трещины в основном реализуется с помощью высокоточных механических систем, передовых процессов резки, интеллектуальных систем управления и точных систем визуального позиционирования, а именно:
высокоточная механическая система
Точные движущиеся компоненты: использование импортных линейных двигателей и замкнутой системы растровой линейки, в сочетании с алгоритмом обратной связи в реальном времени, может обеспечить точность повторения нанометрового пути резки. Например, двухосный скрепер с сердечником Bosche работает независимо через двухосный, с точностью позиционирования ±1 мкм.
Стабильная система шпинделя: система шпинделя использует подшипники воздушного статического давления, скорость вращения до 60 000 rpm, радиальное биение менее 0,1 мкм, обеспечивает стабильный выход мощности для резки, гарантируя точность и стабильность резки.
Сейсмические и стационарные устройства: сейсмический стол в сочетании с вакуумным адсорбционным приспособлением может устранить вибрационные помехи микронного уровня, обеспечить, чтобы кристаллический круг не смещался во время резки, обеспечить стабильную основу для высокоточной резки.
Передовой процесс резки
Оптимизация лезвия: для различных полупроводниковых материалов, таких как кремний, арсенид галлия, карбид кремния и т. Д. Индивидуальная грануляция алмазного лезвия, такая как # 2000 сверхтонкий шлифовальный круг, может уменьшить заусенцы режущей поверхности и продлить срок службы лезвия. Толщина лезвия обычно составляет 15 - 50 мкм, а частицы алмаза прикрепляются к никелевой матрице путем гальванического покрытия или спекания, балансируя износостойкость и эффективность резки.
Технология лазерной резки: для сверхтонких кристаллических кругов или твердых хрупких материалов, таких как GaN, сапфир и т. Д. Используется технология лазерной невидимой резки. Используя пикосекундный лазер 1064 нм, сфокусированный изнутри через поверхность кристаллической окружности, формируя модифицированный слой с помощью эффекта многофотонного поглощения, а затем разделяя чип при растяжении расширенной пленки, избегая физического контакта, ширина разрезного канала может контролироваться в пределах 10 мкм, уменьшая крах.
Композитный процесс резки: для жестких и хрупких материалов, таких как GaN, SiC, использование лазерной предварительной травки + алмазного лезвия точного процесса смешивания, ширина разрезного канала сжата с 50 мкм до 15 мкм, что повышает коэффициент использования кристаллического круга.
Интеллектуальная система управления
Интеллектуальное регулирование динамических параметров: интеллектуальная система регулирования давления ножа, основанная на мониторинге сопротивления резки в реальном времени, может быть адаптирована к жестким и хрупким материалам, таким как SiC и GaN, для управления краном < 10 мкм, снижения потерь зерна. В то же время в соответствии с толщиной кристаллического круга и динамической регулировкой материала скорость резки, скорость вращения шпинделя и другие параметры, оптимизировать согласованность глубины резки.
Отслеживание данных и системная интеграция: в режиме реального времени записываются параметры резки, такие как давление ножа, скорость вращения и состояние оборудования, бесшовная стыковка системы MES для достижения полного процесса отслеживания качества. Архитектура открытого контроллера поддерживает облачную оптимизацию удаленных операций и технологических параметров для улучшения использования оборудования.
Точная визуальная система определения местоположения.
Высокоточное визуальное распознавание: автоматическое распознавание точек Марка кристаллической окружности с точностью ±3 мкм через визуальную систему CCD с высоким разрешением, которая поддерживает нерегулярное планирование пути резки и уменьшает ошибки ручной калибровки. Во время резки визуальная система также может контролировать положение резки в режиме реального времени, обеспечивая точность резки.