Одномодовые 1064 - нм блокирующие лазерные чипы DFB и устройства успешно разработаны для обеспечения стабильной поставки партий.Продукт основан на саморазвивающемся высокопроизводительном лазерном чипе FP 1064 нм с встроенным DFB на чиперастровая технологияДля достижения функции блокировки большого диапазона мощности, производительность продукта и спектральная стабильность высоки, пользуются большой популярностью у клиентов.

Модель 1064 нмЛазеры DFBБлагодаря своим узким спектральным характеристикам, которые могут генерировать зеленый свет с прямым удвоением частоты, а также в качестве источника семян и основного компонента сверхбыстрого лазера, узкие импульсы и более высокие скорости могут быть достигнуты в более узком пикосекундном и наносекундном диапазонах по сравнению с традиционными лазерами с блокировкой FBG. Из - за его превосходной производительности существует широкий спектр прикладных потребностей во многих областях, таких как промышленная обработка, оптическая связь, лазерные радары и медицинское оборудование.

Основываясь на саморазвивающемся высокопроизводительном лазерном чипе FP 1064 нм, конструкция решетки будет спроектирована непосредственно в экстенсивной структуре материала чипа путем травления, а также через технологию вторичного расширения, чтобы завершить рост всей структуры материала, реализовать интеграцию решетки on - chip с LD, чтобы сформировать новое поколение одномодового 1064 нм чипа DFB. После строгой оптимизации производительности и надежности был получен одномодовый узкоспектральный чип с высокой выходной мощностью, а с помощью одномодовой волоконно - оптической связи были реализованы низковольтные, высокогерметичные и высокостабильные 14 - PIN - образные пакетированные волоконно - оптические устройства связи.

Разработанный DFB - чип с длиной волны, ключевые показатели производительности лучше, чем аналогичные продукты, о которых сообщается на международном уровне, для достижения автономного и контролируемого, внутреннего пробела в области продукта.

Высокая выходная мощность:

Выходная мощность одномодового лазера достигнута200-300 мВт*

Высокоскоростная масса:

Эффективно подавляет мазер в полости FP, получаяПропускная способность 3dB 0,05 нмПродукция;

Высота может быть покрыта бабочкой:

иметьМалый размер, легко интегрируемый, удобный в эксплуатации, стабильный выход, быстрый отклик, длительный срок службыТакие характеристики обеспечивают клиентам вниз по течению в процессе использования, с лучшей стабильностью и более быстрой модуляцией;

Индивидуальная настройка.

Удовлетворение потребностей различных клиентов.

Одномодовые устройства 1064 нм DFB

Типичные кривые LI - PCE и спектральные кривые устройства:

Модель:ДГ-HS05-6425B-200PM-DPY