Тестирование полупроводниковых интегральных схем

В таких экспериментах, как характеристики полупроводников и наноэлектронных устройств, измерение тока выключения транзисторов, измерение удельного сопротивления материалов с высоким сопротивлением, электрические характеристики наноустройств, сканирующие зондовые микроскопы и т. Д. Когда размер устройства уменьшается до нанометрового уровня или материал очень тонкий, ток утечки и сам измеренный ток чрезвычайно малы. На этом уровне экспериментаторам необходимо использовать зондовый стол с током менее 100 фА для борьбы с различными шумами и помехами, включая тепловой шум, шум Johnson 1, вибрационный шум и даже заряд, создаваемый молекулярной ионизацией воздуха.