Печь сублимации 1200°C представляет собой специальное оборудование для разделения, очистки или подготовки конкретного материала с использованием характеристик сублимации и конденсации вещества. Основной принцип заключается в том, чтобы обеспечить прямое преобразование целевого вещества между твердым и газообразным, точно контролируя температуру, давление и атмосферные условия, избегая жидкой фазы, чтобы обеспечить эффективную очистку или рост пленки.
Печь для сублимации при температуре 1200°C
Описание продукции:
Печь для сублимации при температуре 1200°CЭто специальное оборудование, которое использует характеристики сублимации и конденсации материала для реализации разделения, очистки или подготовки материала. Это оборудование широко используется в новых материалах, полупроводниках, аэрокосмической, химической и других областях, по сравнению с традиционным оборудованием, оно имеет преимущества высокой чистоты, низких потерь и отсутствия вторичного загрязнения.
Во время работы устройства сырье сублимируется в газообразное состояние в зоне сублимации, после выхода из примеси, в зоне конденсации вновь конденсируется в продукт высокой чистоты, может быть изготовлен порошок, массивный материал или функциональная пленка.
Оборудование оснащено высокоточной системой контроля температуры (колебания температуры ± 1°С), высокоэффективной вакуумной системой (вакуум настроен по требованию), гибкой системой управления атмосферой и высокотемпературной коррозионно - стойкой печью для обеспечения стабильной работы и чистоты продукта.
Устройство имеет очень широкий спектр сценариев применения, может очищать полупроводники, высокотемпературные сплавы и другие материалы, готовить графен и другие специальные материалы, отделять высокоценные соединения. Его основное преимущество заключается в том, что чистота продукта может достигать 99,99% или более, а процесс зеленый, удобный в эксплуатации, параметры могут быть отрегулированы, универсальность сильна.
принцип работыА.
1.Печь для сублимации при температуре 1200°CПроцесс сублимации: твердое вещество непосредственно газифицируется при определенной температуре (ниже температуры плавления) и давлении (при постоянном давлении или декомпрессии), образуя летучие компоненты.
2. Процесс передачи: перенос газообразных компонентов из высокотемпературной зоны (например, сублимационного цилиндра или порошковой зоны) в кристаллическую зону (например, конденсатора или поверхности кристалла) под действием температурного градиента.
3. Кристаллизация коагуляции: летучие компоненты выделяются в криогенной зоне и растут вдоль решетки, образуя монокристалл (например, SiC - кристалл) или однородную пленку (например, полупроводниковый материал).
Основные области примененияА.
1. Очистка химических продуктов: разделение веществ с сублимирующими свойствами.
2. Подготовка полупроводниковых материалов: выращивание высококачественных SiC - кристаллов или тонких пленок микронного класса (печей для сублимации в околоземном пространстве).
Органическая очистка малых молекул: оборудование экспериментального уровня используется для очистки органических соединений с высокой добавленной стоимостью.
Основные детали продукции:

Основные технические параметры продукции:
