- Электронная почта
- Телефон
-
Адрес
Пекинское здание развития, 18 - й этаж
Японская высокотехнологичная (Шанхайская) международная торговая компания с ограниченной ответственностью
Пекинское здание развития, 18 - й этаж
Известный источник электронов с холодным полем в Японии и технология ускоренного напряжения 300 кВ объединили усилия для создания изображений со сверхвысоким разрешением и анализа высокой чувствительности. Двупризматическая голографическая технология, спектр потери энергии электронов с пространственным разрешением и высокоточная дифракция параллельных наноэлектронных лучей открывают новые пути для эффективного и высокоточного анализа образцов.
0,1 нм (кристаллическая решетка)
0.19 нм (точка - точка)
0.13 нм (информационный предел)
От 200 до 150000 раз.
300 kV, 200 kV*, 100 kV*