лазерный сканирующий дефектограф

ДоговариваемыйОбновление на01/27

Модель

Природа производителя: Производители

Категория продукта

Место происхождения

Онлайн Консультация

Обзор

Лазерный сканирующий дефектный визуализатор является обновленной версией теста на индукционный ток лазерного луча (LBIC). Он использует лазерный луч с длиной волны, превышающей полупроводниковый зазор, для облучения полупроводника, создавая электронные пары дырок. Быстрое сканирование поверхности образца позволяет получить распределение изображений, раскрывающих изменения внутреннего тока, что позволяет анализировать распределение различных дефектов. Это позволяет анализировать качество подготовки проб и способствует совершенствованию процесса.

Подробности о продукте

Описание продукта

Полная картина за 4 минуты, сканирование 100 мм x 100 мм с разрешением 50 микрон

　　БсветСканирующий дефектный визуализатор является обновленной версией теста на индукционный ток лазерного луча (LBIC). Он использует лазерный луч с длиной волны больше, чем полупроводниковый энергетический зазор для облучения полупроводника, создавая пары электронов - электрических дыр. Благодаря быстрому сканированию поверхности образца можно получить распределение изображений, которое выявляет изменения внутреннего тока для анализа распределения различных дефектов. Это помогает анализировать качество подготовки образцов и улучшает процесс.

характеристика

•Сканирование распределения фотоэлектрических токов

•Распределение оптического напряжения сканирования

•Развернуть распределение напряжения открытого и короткого замыкания

•Анализ поверхностного загрязнения

•Анализ распределения зон короткого замыкания

•Выявление и анализ микротрещин

•Анализ распределения длины диффузии нескольких носителей (функция выбора)

приложение

雷射扫描缺陷图谱仪

Распределение светового тока кремниевых солнечных элементов (405 нм)

雷射扫描缺陷图谱仪

Сканирование 6 - дюймовых кремниевых солнечных батарей (17 секунд)

雷射扫描缺陷图谱仪

Перовскитные солнечные батареи

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD4 - OPV Распределение токов оптической реакции

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD4 - OPV Распределение токов оптической реакции

Анализ неоднородности с разрешением 50 мкм

Определение соотношения сторон шины / сетки (анализ поперечного сечения)

Высокая повторяемость (6 повторений)

спецификация

проект	Описание параметров.
функция	A. Использование лазерного луча с длиной волны, превышающей полупроводниковый зазор, для создания пар электронных дырок в полупроводнике, изучения влияния зоны истощения на изменения внутреннего тока, понимания и анализа распределения различных дефектов в качестве направления совершенствования процесса. b. Возможность сканирования распределения фотоэлектрического тока на поверхности образца. C. Возможность сканирования распределения оптического напряжения на поверхности образца. d. Возможность сканирования распределения напряжения открытого и короткого замыкания. е. Способность анализировать поверхностное загрязнение. F. Возможность анализа распределения зон короткого замыкания. G. Возможность распознавать и анализировать области микротрещин. H. Способность анализировать распределение длины диффузии нескольких носителей (необязательно).
Источник возбуждения	Лазер 405 ± 10 нм Лазер 520 ± 10 нм Лазер 635 ± 10 нм Лазер 830 ± 10 нм
Область сканирования	≥100мм×100мм
Размер лазерного пятна	Ближе к точке режима TEM00
Разрешение картирования	А. Разрешение сканирования 50 мкм b. Разрешение сканирования может быть установлено с помощью программного обеспечения
Время съемки	< 4 минуты (100mm×100 мм, разрешение 50um)
Аспекты	60 см * 60 см * 100 см
программное обеспечение	A. Визуализация LBIC 3D b.2D Анализ поперечного сечения (соотношение сторон электрода) c. Анализ распределения реакции оптического тока (в сочетании с длинноволновым лазерным источником) d. Функции сохранения и экспорта данных

Похожий продукт рекомендовать