ПЕАЛД

ДоговариваемыйОбновление на01/29

Модель

Природа производителя: Производители

Категория продукта

Место происхождения

Онлайн Консультация

Обзор

Двукамерная высоковакуумная плазменная система PEALD расширяет технологию ALD, создавая большое количество активных свободных радикалов за счет введения плазмы, усиливает реактивную активность вещества - предшественника, тем самым расширяя диапазон выбора и применение ALD к источнику - предшественнику, сокращая время цикла реакции, а также снижая требования к температуре осаждения образца, может достигать низкотемпературного или даже атмосферного осаждения, особенно для тонкопленочного осаждения на термочувствительных материалах и гибких материалах.

Подробности о продукте

I. СОДЕРЖАНИЕдвухкамерная высоковакуумная плазмаПЕАЛДсистемаОсновные параметры:

Диапазон цен: 1 - 2 млн.

Категория происхождения: отечественная система осаждения атомных слоев (ALD)

Размер подложки: F 200 мм

Технологическая температура: RT - 500 ± 1ºC

Предшественник: Максимальное количество может включать 3 группы плазменных реакционных газов 4 группы жидких или твердотельных реакционных прекурсоров

Вес: 300 кг

Размер (WxHxD): 1400 * 1000 * 1900 мм

однородность: однородность < 1%

II.двухкамерная высоковакуумная плазменная система ALDПринципиальный анализ применения:

Атомическое осаждение (Atomiclayerdeposition) - это метод формирования осадочной пленки путем чередования импульсов предшественника газовой фазы в реакционную полость и химической адсорбции и реакции на осадочной матрице, которая имеет самоограниченность и самонасыщение. Технология осаждения в атомном слое в основном используется для осаждения высокоточных, неотрепанных и высококонформных нанопленок на фундаменте различных размеров и форм.

PlasmaEnhanced AtomicLayer Deposition (Усовершенствованное плазменное осаждение)ПЕАЛДЭто расширение технологии ALD, благодаря введению плазмы, генерирует большое количество активных свободных радикалов, усиливает реактивную активность вещества - предшественника, тем самым расширяя диапазон выбора и применение ALD к источнику - предшественнику, сокращая время цикла реакции, а также снижая требования к температуре осаждения образца, может быть достигнуто низкотемпературное или даже нормальное осаждение, особенно для тонкопленочного осаждения на термочувствительных материалах и гибких материалах.

3. Компания Xiamen Yumao Technology Co., Ltd. предоставляет вам информацию о параметрах, ценах, моделях, принципах и т.д., место происхождения - Фуцзянь, бренд - 韫мао, модель - QBT - A, цена - 1 - 2 млн. RMB, более релевантная информация может быть проконсультирована, телефон обслуживания клиентов компании 7 * 24 часа для вас.

IV. Основные технические параметры:

В - пятых, результаты испытаний показывают:

Похожий продукт рекомендовать