- Электронная почта
- Телефон
-
Адрес
Шанхай, район Сунцзян, дом 88, дом 5, комната 208.
Категории продукта
Шанхайская промышленная компания Цзэнцзюнь
Анализатор параметров полупроводника TH521
ДоговариваемыйОбновление на05/15
- Модель
- Природа производителя
- Производители
- Категория продукта
- Место происхождения
Обзор
Анализатор полупроводниковых параметров Tonghui TH521 - это комплексное решение для проектирования цепей, которое помогает проектировщикам электрических электронных схем выбирать силовые устройства, подходящие для их собственных применений, и максимизировать их электрическую электронику. Он может оценивать все соответствующие параметры устройства в различных условиях работы, включая параметры IV (пробивное напряжение и сопротивление проводимости), конденсатор FET на трех концах, заряд сетки и потери мощности. Полупроводниковые анализаторы параметров серии TH521, используемые для проектирования схем, имеют полную функцию отслеживания кривых и другие функции.
Подробности о продукте
Анализатор параметров полупроводника TH521введениеА.
Анализатор параметров полупроводника TH521Это комплексное решение для проектирования схем, которое может помочь в комплексном решении для проектирования схем, помогая дизайнерам электрических электронных схем выбирать силовые устройства, подходящие для их собственных применений, чтобы максимизировать ценность их электрических электронных продуктов. Он может оценивать все соответствующие параметры устройства в различных условиях работы, включая параметры IV (пробивное напряжение и сопротивление проводимости), конденсатор FET на трех концах, заряд сетки и потери мощности. Полупроводниковые анализаторы параметров серии TH521, используемые для проектирования схем, имеют полную функцию отслеживания кривых и другие функции.
Максимальное выходное напряжение серии TH521 может достигать ±3500V Максимальный выходной ток может достигать ±1800A, минимальное разрешение измерения напряжения 100nV, минимальное разрешение измерения тока 10fA, максимальное смещение коллектора для измерения емкости ±3500V, частота измерения может достигать 10 МГц.
Характеристики производительности
ТХ521Обычные характеристики
• До3.5kV/1800AШирокий круг работ
от-50БCдо+250БCПолностью автоматический быстрый тепловой тест.
• Технические данные для автоматического создания силовых приборов (полупроводников и компонентов)
Автоматическая регистрация предотвращает потерю данных
·АльВспомогательная подготовкаPythonТестовый сценарий
ТХ521IVСвойства пакета
• Полностью автоматизированная и быстрая установка на упаковке и кристаллической окружностиIVИзмерения
РонАБВУтечка,ВтАВсати т. д.)
• УзкиеIVШирина импульса (самая узкая) 10μsПредотвращает самопроизвольное нагревание прибора, более точное измерение
Фактические характеристики прибора
• Вид осциллографа (вид временной области) позволяет контролировать фактическое напряжение/Импульсные формы тока, в
Проводить точные измерения.
*Конфигурация может быть гибко расширена, добавленарезюмеиQgПреобразовать диапазон тока из20Арасширение
до200AА600Aили1800A
ТХ521Полные характеристики пакета
·IVВсе характеристики пакета
• Измерение упаковочных устройств в3,5 кВёмкость ввода, вывода и обратной передачи транзистора
(Сисс)АКоссАЦРССАCiesАКоэсАКресИ сеточное сопротивление(Рг)
• Измерение заряда сетки упаковочного устройства (Qg) Кривая
Расчетные потери мощности (потеря проводимости, привода и переключателя)
область применения
• Полупроводниковые силовые приборы
Диод, триод,MOSFETАIGBT, тиристор, интегральная схема, свет
Электронные чипы и другие паразитические конденсаторные тесты,С-ВАнализ характеристик
• Полупроводниковые материалы
Резка кристаллического круга,С-ВАнализ характеристик
· Жидкостные материалы
Анализ упругих констант, жидкокристаллическая резка
• Конденсаторные элементы
конденсаторС-ВТестирование и анализ характеристик, тест - анализ конденсаторных датчиков
H521Технические параметры серии анализаторов параметров полупроводников:
МКСМУ | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (% МВ + МВ) |
*Большой ток |
200 мВ |
100 нВ |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1А |
2В |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1А |
20 В |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1А |
40 В |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1А |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
10μA |
10 ПА |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30В |
100μA |
100 ПА |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30В |
1 мА |
1нА |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30В |
10мА |
10нА |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30В |
100 мА |
100нА |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30В |
1А |
1УА |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30В |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±30В |
||
*Малый ток |
10 ПА |
||
Коэффициент заполнения импульса * |
5%(Пик превышает100 мАВремя) |
||
Маленькая ширина импульса |
10μs |
||
Большая ширина импульса * |
100 мс(Пик превышает100 мАВремя) |
||
Постоянный ток * |
±100 мА |
||
Большой импульс * |
±1А |
||
Великая базовая величина импульса * |
±50 мА(Пик превышает100 мАВремя) |
||
HCSMU | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (% МВ + МВ) |
*Большой ток |
200 мВ |
100 нВ |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20А |
2В |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20А |
20 В |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20А |
40 В |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1А |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
10μA |
10 ПА |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 В |
100μA |
100 ПА |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 В |
1 мА |
1нА |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 В |
10мА |
10нА |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 В |
100 мА |
100нА |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 В |
1А |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 В |
20А |
20μA |
±(0.4 + 2E-3+Во x 1E-4) |
20 В |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±40 В |
||
*Малый ток |
10 ПА |
||
Коэффициент заполнения импульса * |
1%(Пик превышает1АВремя) |
||
Маленькая ширина импульса |
50μs |
||
Большая ширина импульса * |
1мс(Пик превышает1АВремя) |
||
Постоянный ток * |
±100 мА |
||
Большой импульс * |
±20А |
||
Великая базовая величина импульса * |
±100 мА(Пик превышает1АВремя) |
||
МПСМУ | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (% МВ + МВ) |
*Большой ток |
100 мВ |
100 нВ |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 мА |
1В |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 мА |
10В |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 мА |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20 мА (≥40V) 50мА(≤40V) |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
1нА |
1fА |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10нА |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100нА |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + Во x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10 ПА |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100 ПА |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1 мА |
1нА |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10мА |
10нА |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 мА |
100нА |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 В |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±100V |
||
*Малый ток |
1fА |
||
ГВСМУ | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/точность измерений±(%+мВ) |
*Большой ток |
200V |
200 УВ |
±(0.03 + 40) |
10мА |
500V |
500 мкВ |
±(0,03 + 100) |
10мА |
1500V |
1.5В |
±(0.03 + 300) |
10мА |
3500V |
3.5В |
±(0.03 + 600) |
5А |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
10нА |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100 ПА |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10мА |
10нА |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±3500V |
||
*Малый ток |
10fA |
||
UHCU | ||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | ||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/точность измерений±(%+мВ) |
60В |
100μV |
±(0.2+10) |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2мА |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Коэффициент заполнения импульса * |
0,4%(600AИзмерения);0,1%(1800AИзмерения) |
|
Маленькая ширина импульса |
10μs |
|
Большая ширина импульса * |
1мс(600AИзмерения);500μs(1800AИзмерения) |
|
Большой импульс * |
200AА600AА1800AИзмерения |
|
МФКМУ | ||
|
частота |
Диапазон частот |
1 кГц ~ 10 МГц |
*Разрешение малой частоты |
1 мГц |
|
Точность частоты |
±0,05% |
|
|
ACУровень |
Диапазон уровней |
0~250mV |
разрешение |
0,1 мВрмс |
|
точность |
±(10%*установленное значение+ 2 мВ) |
|
|
DCСмещение |
диапазон |
0 ~±25В |
разрешение |
1 мВ |
|
Точность |
1% *установленное напряжение+ 8 мВ |
|
выходное сопротивление |
100Ω |
|
Настройка тестового конца |
Четыре конца. |
|
Время тестирования |
быстро2,5 мсСредняя скорость90 мсмедленный220мс |
|
ёмкость |
Показать диапазон |
0.00001pF~9.99999F |
*Высокая точность |
0,05% |
|
ТХ521Таблица выбора серии анализаторов параметров полупроводников:
TH521-35-20 |
IV: 3500В/20А |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
Похожий продукт рекомендовать
