Технология полноспектрального анализа многослойной мембранной структуры профилографа толщины пленки является ключевым прорывом в производстве полупроводников, дисплеев и оптических устройств в настоящее время. Благодаря интерферометрии с одноэкспозиционным спектральным разрешением технология обеспечивает синхронное измерение толщины многослойной мембраны в реальном времени с трехмерным профилем поверхности, решая проблему низкой эффективности измерения точек традиционным эллипсоходом и сложности разделения многослойных отраженных сигналов с помощью интерферометрии белого света.

Его основной принцип заключается в том, чтобы связать пиксельную поляризованную камеру (PPC) с спектрометром изображений, создавая оптическую систему, которая может получать четыре набора интерферометрических диаграмм фазового сдвига в широком спектральном диапазоне один раз. Источники света используют вольфрамовые галогенные лампы 400 - 800 нм для достижения равномерного освещения с помощью освещения Koller, линейный поляризатор и четверть волны ахроматической аберрации в сочетании с регулированием поляризованного состояния луча, так что ортогональный круговой поляризованный свет, отраженный образцом и референтным зеркалом, образует интерферометрическую диаграмму фазового сдвига на микрополяризационной решетке PPC. Сегмент обработки данных извлекает спектральную фазу из четырех диаграмм фазового сдвига с помощью определенной формулы и отделяет линейные и нелинейные компоненты, в которых нелинейные фазы отражают изменения толщины пленки, а линейные фазы соответствуют высоте поверхности. В сочетании с данными абсолютного отражения калибровки голых кремниевых пластин создайте целевую функцию для оптимизации толщины каждого слоя и определения контура поверхности путем согласования общей фазы.

В качестве примера можно привести пятислойную пленку (Sinenenebj N - SiOneneneek - SiOneneneed - SiOneneneed - Sinenenebj N), в которой стандартное отклонение 10 измерений составляет менее 1,6 нм, а максимальное отклонение - 14 нм, что в значительной степени соответствует результатам эллипсоида; Реконструкция высоты поверхностных ступеней по сравнению с зондовым ступенчатым прибором, максимальное отклонение менее 12 нм. Его технология поперечного сращивания, основанная на линейном сканировании, может обеспечить крупномасштабное измерение контура трехмерной толщины и оснащена 500 Вт пиксельной камерой с высоким разрешением и датчиком с субегипетским разрешением для обеспечения точного измерения бесконтактного повреждения. Эта технология широко используется для онлайн - тестирования полупроводниковых производственных линий, обеспечивая сильную техническую поддержку для обеспечения качества материалов и повышения эффективности производства.