Плазменная мойкаОбнаружение эффекта очистки, ядро состоит в том, чтобы проверить степень удаления поверхностных загрязнителей и эффект повышения активности поверхности, общий метод можно разделить на два типа физического и химического обнаружения, операция проста и практична, конкретные шаги заключаются в следующем:
I. Физический тест (интуитивное суждение, быстрый старт руки)
1. Метод измерения угла соприкосновения
Это основной метод обнаружения поверхностных гидрофильных / гидрофобных изменений, плазменная очистка удаляет поверхностное загрязнение нефтью, увеличивает активную базу и значительно снижает угол контакта.
Подготовительный инструмент: прибор для измерения угла контакта, деионизированная вода (или назначенная тестовая жидкость).
Шаги действия:
Перед очисткой: взять образец, подлежащий измерению, капать от 1 до 2 мкл деионизированной воды на поверхность, измерить угол контакта с прибором и записать значение.
После очистки: измерение капли таким же образом в той же области образца (или в соседней области того же материала).
Критерий оценки: после очистки угол контакта значительно уменьшается (например, с 80 ° выше до 30 ° ниже), что указывает на хороший эффект очистки; Если значения изменяются незначительно, это может быть недостаточный параметр очистки или наличие остатков.
2. Внешний вид визуального / микроскопического наблюдения
Подходит для образцов с явными частицами и пятнами, чтобы быстро определить чистоту поверхности.
Инструменты подготовки: невооруженный глаз, оптический микроскоп (или стереоскопический микроскоп).
Шаги действия:
До и после очистки поверхность образца наблюдалась в тех же условиях освещения.
Для мелких пятен используйте микроскоп, чтобы увеличить в 50 - 200 раз, чтобы наблюдать количество частиц, изменение площади пятна.
Критерий суждения: после очистки поверхности нет видимых частиц, масляных пятен, следов водяных пятен, количество примесей под микроскопом значительно уменьшается, то есть является квалифицированным для очистки.
II. Химический тест (точная проверка, соответствующая профессиональным потребностям)
1. Метод тестирования поверхностной энергии (на основе метода чернильной разметки, упрощенная версия)
Используя различные поверхностные энергии для тестирования чернил, чтобы определить поверхностную активность образца, косвенно отражая эффект очистки.
Инструменты подготовки: Комплект поверхностей для тестирования чернил (например, серия 30 - 70 мН / м).
Шаги действия:
После очистки, с помощью ватной палочки, смоченной в низкую поверхность, чернила могут быть прямыми на поверхности образца.
Если нитка чернил непрерывно не сжимается, это означает, что поверхность образца может проткнуть поверхность чернила; Если сжатие в капли воды или обрыв линии, это означает, что поверхность может быть недостаточной, очистка не является полной.
Ссылка: После большинства промышленных очистк поверхность образца может достигать 38 мН / м или более.
2. Весовой анализ остатков (подходит для обнаружения микрозагрязнителей)
Подходит для сценариев, требующих очень высокой чистоты (например, полупроводников, прецизионных электронных деталей), для количественной оценки остатков загрязняющих веществ.
Инструменты подготовки: Аналитические весы (точность 0.01 мг), сушильные ящики.
Шаги действия:
Перед очисткой образец помещается в сушилку для сушки до постоянного веса, взвешивается аналитическими весами и записывается m1.
После плазменной очистки, то же самое высушивается до постоянного веса, вес записывается m2.
Критерий оценки: расчетная разница в весе - дельта м = м1 - м2, чем больше дельта м, тем больше загрязняющих веществ удаляется; Если дельта m приближается к 0, необходимо отрегулировать мощность очистки, время и другие параметры.
III. ПРИМЕЧАНИЯ
обнаружениеПлазменная мойкаЭто необходимо сделать в течение короткого периода времени после очистки (рекомендуется в течение 30 минут), чтобы избежать адсорбции загрязняющих веществ в воздухе на поверхности образца, влияя на результаты.
При сравнительном тестировании необходимо обеспечить, чтобы тестовая среда, местоположение и метод образца до и после очистки были последовательными, чтобы уменьшить ошибку.
Образцы различных материалов (например, металлы, пластмассы, стекло) должны выбрать подходящий метод обнаружения, например, пластиковые образцы отдают приоритет методу контактного угла, металлические детали могут наблюдаться в сочетании с микроскопом.