микроскоп для круговой проверкиЭто оптический прибор для обнаружения поверхности полупроводниковой кристаллической окружности и внутренней структуры, который помогает специалистам быстро обнаруживать дефекты на кристаллической окружности и обеспечивать качество продукции.
Основные функции:
Обнаружение дефектов: способность быстро обнаруживать царапины, загрязнения, отверстия, трещины и другие дефекты на поверхности кристаллического круга, а также аномалии внутренней структуры.
Измерение размеров: Благодаря оборудованному программному обеспечению для измерения можно точно измерить ширину линий на кристаллической окружности, графические размеры, интервал и т. Д.
Анализ изображений: Собранные изображения могут обрабатываться и анализироваться, такие как корректировка контрастности, обнаружение края, классификация дефектов и т. Д. Для обеспечения поддержки данных для контроля качества и улучшения процесса.
микроскоп для круговой проверкиБлагодаря сочетанию оптической системы и технологии визуализации для достижения точного наблюдения поверхности кристаллического круга и внутренней микроструктуры, его основные принципы:
Оптическая система визуализации
Режим освещения: Поддерживает пропускающее (для прозрачных / полупрозрачных кристаллов) и отражающее (для непрозрачных кристаллов) освещение, тип источника света охватывает галогенные лампы, светодиодные лампы и т. Д., Из которых светодиодные лампы из - за длительного срока службы, низкого нагрева становятся основным направлением.
Объекты и окуляры: объективы являются ключевыми оптическими компонентами, которые обеспечивают множество увеличений, таких как 5X, 10X, 20X, 40X, а окуляры дополнительно увеличивают изображение.
Концентратор: фокусируйте свет источника света на поверхности кристаллической окружности с помощью регулировки численной апертуры, повышайте яркость освещения и улучшайте четкость наблюдения.
Технология мультимодального наблюдения
Наблюдение за открытым / темным полем: обнаружение открытого поля распознает царапины, частицы и другие большие дефекты посредством изменения интенсивности отраженного света; Для обнаружения темного поля используется рассеянный свет для анализа мелких дефектов суб100 нм.
Дифференциальная интерференция (DIC): усиление контрастности изображения с помощью разности световых расстояний, четкое представление стереоструктуры дефектов кристалла.
Наблюдение за флуоресценцией и поляризацией: может быть выбран флуоресцентный модуль для обнаружения фотолюминесцентных характеристик, поляризационный модуль для анализа ориентации кристалла, чтобы удовлетворить потребности * процесса.