микроскоп для круговой проверкиЧерез систему оптических линз изображение поверхности кристаллического круга увеличивается и проецируется на окуляр или датчик изображения для наблюдения и анализа. Некоторые микроскопы также используют различные методы освещения и контрастные технологии, такие как яркое поле, темное поле, дифференциальная интерферометрическая разница (DIC) и т. Д. Для повышения контрастности изображения, чтобы дефекты и структурные характеристики были более четко видны.

　　микроскоп для круговой проверкиПрименяются:

1 Обнаружение дефектов поверхности кристаллического круга

Обнаружение избыточности: при увеличении в 50 - 1000 раз, в сочетании с оптическим освещением MIX, точное позиционирование нанометровых частиц до микронной пыли, чтобы избежать отказа электрических свойств.

Анализ механических повреждений: обнаружение дугообразных царапин, вызванных химическим механическим шлифованием (CMP), и оценка влияния повреждений на соединяемость цепей.

Проверка дефектов кристаллов: использование технологии DIC для идентификации линий скольжения и ошибок в слоях штабеля для повышения производительности.

2 Контроль качества фотолитографического процесса

Проверка точности выравнивания рисунка: проверьте, соответствует ли рисунок схемы, образованный экспозицией и проявлением фоторезиста, проектным требованиям, чтобы избежать отклонения ширины линии.

Анализ однородности ширины линии: измерение изменений ширины линии с помощью устройств CD - SEM (электронно - лучевая визуализация) или OCD (оптический ключевой размер) для обеспечения стабильности процесса.

Тестирование упаковки и анализ отказов

Проверка качества точки сварки: Проверка формы, размера и дефектов точки сварки, ложной сварки, короткого замыкания и т.д. для обеспечения надежности упаковки.

Межслойное выравнивание и измерение толщины: проверка точности наложения многослойного металлического / диэлектрического слоя, измерение изменений толщины между слоями в соответствии с проектными спецификациями.

Прозрачный электронный микроскоп (TEM) анализ: обеспечивает изображение сечения с разрешением атомного уровня, в сочетании с энергетическим спектром для анализа распределения элементов, позиционирования источника отказа.

4 Поддержка процесса

Обнаружение полупроводниковых соединений: например, изображения дефектов подложки карбида кремния (SiC), поддерживающие каналы обнаружения фотолюминесценции, четко демонстрирующие дефекты решетки.

Наблюдение за 3D - структурой: точность выравнивания и качество интерфейса трехмерной укладки проверяются с помощью многоугольного наклона и вращения образцов.