1.использовать32.768ХцПричины

Частота 32.768 Гц широко используется в проектировании цепей, главным образом из - за ее особых математических характеристик. Это значение частоты обрабатывается простым разделением частот, что позволяет легко получить различные часто используемые временные ориентиры. Например, 15 - кратная дихотомическая частота с помощью подходящей схемы может точно генерировать сигнал 1 Гц, что имеет решающее значение для реализации функции хронометража в секундах. Кроме того, кристаллические генераторы этой частоты обладают высокой стабильностью и могут поддерживать относительно стабильный выход в различных условиях окружающей среды, обеспечивая цепь точными и надежными часовыми сигналами, отвечающими более высоким требованиям к точности времени, таким как часы реального времени (RTC).

32.768ХцВыбор внешней нагрузки

Внешняя нагрузка оказывает значительное влияние на производительность кристаллического генератора 32.768 Гц. Выбор подходящей емкости нагрузки имеет решающее значение. Значения емкости нагрузки должны определяться в соответствии со спецификациями кристалла параметрами и конкретными требованиями схемы. Если емкость нагрузки выбрана неправильно, это может привести к смещению частоты кристаллического генератора, что, в свою очередь, повлияет на точность отсчета всей схемы. В целом, общие значения емкости нагрузки в 7pF, 9PF, 12.5pF, при проектировании схемы необходимо учитывать внутреннюю емкость подключенного к ней вывода чипа, чтобы выбрать правильную внешнюю емкость нагрузки путем вычисления, чтобы гарантировать, что кристаллический генератор работает вблизи своей номинальной частоты.

Ниже приведены значения внешней емкости, соответствующие обычным нагрузкам:

Фактическая ситуация также должна быть проверена на соответствие, рекомендуется наилучшее значение внешней емкости.

3.32.768Хцвнешняя цепь

Как показано на рисунке, это целая схема кристаллических колебаний. R1 обеспечивает смещение инвла инвертора, так что его МОС - трубка работает в зоне насыщения для получения большего усиления; C1, C2 и емкости рассеяния вместе образуют конденсаторную нагрузку кристалла, в то время как они вместе с инvl инвертора могут быть эквивалентны отрицательному сопротивлению, обеспечивая кристалл энергией, необходимой для его колебаний; R2 используется для снижения энергии привода к кристаллу, чтобы предотвратить разрушение или аномалии кристалла; Образцы INV2 формируют форму выходной волны для INVL и управляют нагрузкой.