Двусторонний пороговый переключатель (ОТС) УстройстваЯвляется ключевым элементом в эволюции памяти от двухмерной к трехмерной архитектуре, ядро которой состоит из тонкой пленки / электрода электрода / серной системы. Среди них пленка серной системы Ge - Se стала самой интересной из - за ее превосходных характеристик переключателяМатериальная система OTSОднако структура валентной полосы и атомная структура системы в различных компонентных интервалах (особенно в зонах, богатых селеном и германием) еще не полностью раскрыты. Чтобы решить эту проблему, команда профессора Чжу Мин из Шанхайского университета Цзяотун иТехнология SymerGe Qingzi, System South Cooperation, ИспользованиеПлатформа Escalab QXi XPSБыло проведено систематическое исследование структуры электронов и распределения типов ключей Ge ₓ Se ₋ (x = 0 - 100%) по всему составу. Соответствующие результаты "Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия анализа халкогенидов Ge-Se"Опубликовано под заголовком.

Команда провела реконструированный анализ энергетического уровня ядра Ge 3d и структуры валентной полосы с помощью XPS с высоким разрешением, установив количественную связь между изменением содержания Ge, изменением среды распределения и перераспределением типов ключей. Результаты исследования показывают, что система Ge - Se представляет три типа структурных областей в различных компонентных интервалах: зона обогащения селеном (x < 40%) поддерживает структуру распределения Ge: Se 4: 2; Переходная зона с богатым германием (x = 40 - 60%) показывает 3: 3 в сочетании с Ge - Ge гомолярной связью, чтобы конкурировать; Доминирующая область германия (x ≥ 70%) показывает более 72% связей, которые являются изополярными Ge - Ge.

Кроме того, анализ спектра валентной полосы также выявил диссоциацию селеновой цепи и образование различных типов связей Ge - Se и изополярных связей Ge - Ge. Эти результаты определяют соотношение компонентов и структур в сернистых соединениях Ge - Se, указывая на то, что производительность OTS может быть оптимизирована с помощью дефектно - опосредованной комбинации клавиш путем управления смешиванием Ge.

Исследование не только углубило понимание электронной структуры материалов из серной системы Ge - Se, но и дало новые идеи для проектирования высокопроизводительных материалов OTS и будущих разработок технологий хранения с высокой плотностью.

Рисунок 1. Серия Ge_хСмотрите_1-хДиаграмма энергетического уровня с сердечником Ge3D на тонкой пленке эволюционирует с компонентами

Рисунок 2. Серия Ge с помощью спектрального анализа диапазона цен XPS_хСмотрите_1−хвалентная структура пленки

Диаграмма 3. Сравнение диапазона цен XPS между образцами, богатыми селеном, и образцами, богатыми германием

СаммерфиСистемы ESCALAB QXi XPSОн сыграл важную роль в этом исследовании, и его возможности обнаружения с высоким разрешением и высокой чувствительностью обеспечивают надежную техническую поддержку для анализа структуры атомного уровня. Эти результаты не только углубляют наше понимание эволюции электронной архитектуры архитектуры Ge - Se, но и предлагают новые идеи и методы для проектирования высокопроизводительных материалов памяти в будущем. Компания SymerFlight продолжит работу по оснащению исследователей передовыми инструментами и решениями, способствующими непрерывному прорыву в научных исследованиях.