Спектр эмиссии XES является важной аналитической технологией, которая в основном используется для изучения электронной структуры и химических свойств материала. Жесткие рентгеновские лучи обладают высокой энергией и могут проникать внутрь образца, что делает XES мощным инструментом для обнаружения глубокой информации о материале.
Основные преимущества
Долгое время спектр тонкой структуры поглощения рентгеновскими лучами (XAFS) можно было тестировать только на отдельных источниках синхронного излучения. Из - за ограниченного времени источника света он не может удовлетворить потребности многих исследователей в тестировании. В последние годы данные XAFS стали « стандартом» для ведущих журналов, в результате чего все больше и больше исследовательских групп нуждаются в тестировании XAFS. Придерживаясь идеи, что XAFS войдет в каждую лабораторию, Институт физики высоких энергий Китайской академии наук и Китайский университет науки и техники совместно представили новый рентгеновский абсорбционный спектрометр тонкой структуры (RapidXAFS).
Спектр запуска XESПреимущества продукции:
Многофункциональный: |
Предоставление высококачественных карт XAFS научного уровня |
Высокая производительность: |
Тестирование образцов с содержанием 1% в течение 1 часа |
Энергетический диапазон: |
4,5-25 кВ |
Высокий световой поток: |
>4 000 000 фотонов/ sec@7 ~ 9 КеВ |
Элементы тестирования: |
Испытания XAFS на переходных металлах при реализации 3d, 5d, редкоземельных элементов |
Простой в использовании: |
За полдня обучения на борту. |
Автономный контроль: |
90% деталей автономно управляемы, без политического риска |
Низкие эксплуатационные расходы: |
Нет необходимости в специальном обслуживании, эксплуатации, управлении и т.д. |
Обладает следующими характеристиками:
-
Продукты с максимальным световым потоком
Поток фотонов превышает 1 000 000 фотонов / с / eV - 4 000 000 фотонов / с / eV, спектральная эффективность в несколько раз выше, чем у других продуктов; Получение такого же качества данных, как и синхронное излучение
-
Отличная стабильность.
Устойчивость монохроматической интенсивности света источника света лучше 0,1%, повторный сбор энергии дрейфа < 50 meV
-
< 1% Предел обнаружения
Высокий световой поток, отличная оптимизация оптического пути и стабильность источника света обеспечивают высокое качество данных EXAFS при содержании измеренных элементов > 1%
-
двойная структура Роланда
Прорыв в использовании двойной Роланд - окружной структуры для одновременного представления локальной структуры двух элементов в одном рентгеновском источнике
Принцип прибора
Рентгеновская абсорбционная тонкая структура (XAFS, X - ray absorption fine structure) - мощный инструмент для изучения локальных атомных или электронных структур материала, который широко используется в таких популярных областях, как каталитическая, энергетическая и нанотехнологическая.
Спектр запуска XESОсновными преимуществами являются:
Не полагаясь на длинные упорядоченные структуры, они могут использоваться для изучения аморфных материалов;
Без вмешательства других элементов различные элементы в одном и том же материале могут быть изучены отдельно;
Образцы не повреждаются, тестируются в атмосферной среде и могут быть испытаны на месте;
Не подвержен влиянию состояния образца, может измерять твердое тело (кристалл, порошок), жидкость (раствор, расплавленное состояние) и газ и так далее;
Можно получить такие структурные параметры, как тип атома, координатное число и расстояние между атомами, точность расстояния между атомами до 0,01A.

Дизайн двойного Роланда


Это сопоставимо с разрешением синхронного излучения.

Тесты XES различают N, C, O
Спектр XAFS состоит в основном из двух частей: рентгеновская абсорбционная ближняя структура (XANES) и расширенная тонкая структура поглощения рентгеновских лучей (EXAFS). Энергетический диапазон EXAFS составляет от 50 до 1000 эВ после поглощения, что является результатом однократного рассеяния электронов между окружающими атомами и поглощающими атомами, вызванными рентгеновскими лучами. XANES включает в себя диапазон от примерно 10 эВ до примерно 50 эВ после края поглощения, главным образом из - за эффекта многократного рассеяния одного электрона между окружающими и поглощающими атомами фотоэлектронов внутренней оболочки, возбужденных рентгеновскими лучами.
Тестовые данные

Данные о фактических пробах при низких концентрациях (0,5%)
Измеряемые элементы: зеленая часть измеряет K - сторону, желтая часть измеряет L - сторону

область применения

Применение XAFS: