Краткое описание

Под диэлектрической константой (Эпсилон) понимается поляризация изоляционного материала под действием электрического поля, отношение емкости Cx между пластинами конденсатора при наличии диэлектрика к вакуумной емкости C0 той же формы и размера. Угол потерь (дельта) - остаточный угол между вектором тока, протекающим в диэлектрике, и вектором напряжения (угол коэффициента мощности Фи) при переменном электрическом поле. тангенс угла потерь (tan дельта), также известный как коэффициент потерь среды, относится к тангенсу угла потерь среды.

Метод определения диэлектрической константы сульфида каучука и тангенса угла диэлектрической потери может быть выполнен в соответствии с GB / T1693 - 2007 « Методом измерения диэлектрической константы сульфида каучука и тангенса угла диэлектрической потери диэлектрической среды».

Испытательный электрод

1. Электрический материал
   

   

2. Размер электрода

   (1) Электрический электрод с пластинчатым образцом

   1) Метод А: электроды пластинчатого образца показаны на рисунке.

   

   Настройка электродов на пластинчатых образцах

   1 - Измерительный электрод 2 - Защитный электрод 3 - образец 4 - электрод высокого напряжения

Размер электрода пластинчатого образца (в единицах: мм)

2) Метод В: Использование двухэлектродной системы. Размер электрода равен размеру образца или электрод меньше размера образца. Диаметр электрода пластинчатого образца составляет Фи 38,0 мм ± 0,1 мм, Фи 50,0 мм ± 0,1 мм, Фи 70,0 мм ± 0,1 мм.

(2) Трубообразный образец электрода

1) Метод А: Трубообразный образец электрода показан на рисунке.

Настройка электродов трубчатого образца (рабочая частота)

1 - Защитный электрод 2 - Измерительный электрод 3 - электрод высокого напряжения 4 - образец

2) Метод В: конфигурация электродов трубчатого образца показана на рисунке. Длина электрода трубчатого образца составляет 50,0 мм ± 0,1 мм или 70,0 мм ± 0,1 мм.

Настройка электродов трубчатого образца (ВЧ) 1 - образец 2 - верхний электрод 3 - нижний электрод

Электрическая установка

При проведении высокочастотных испытаний в соответствии с частотой испытаний и требованиями испытаний могут использоваться электроды опоры. Если частота превышает или равна 1 МГц и меньше 10 МГц, следует использовать микроэлектроды; Когда частота больше или равна 10 МГц, применяются электроды кронштейна.

опорный электрод

Микроэлектрод

Испытательные приборы

1. Метод А:

1) Испытательный прибор представляет собой высоковольтный мост рабочей частоты, принципиальная схема которого показана на рисунке.

принципиальная схема радиочастотного моста

Т - испытательный трансформатор Cs - стандартный конденсатор Cx - образец

R3 - переменное сопротивление C2, C4 - переменная емкость

R4 - Постоянный резистор G - индикатор равновесия моста P - разрядник

2) Диапазон измерений: тангенс угла потерь (tan дельта) составляет 0001 - 1; Конденсатор (C) составляет от 40 до 2000pF.

3) Ошибка измерения моста: погрешность измерения не превышает 10%. Ошибка измерения не превышает 0001, если у образца меньше 0001, а погрешность измерения емкости не превышает 5%. Стандартный конденсатор должен быть менее 00001.

4) Мост должен иметь хорошее защитное заземление.

2. Метод В:

Существует два вида испытательных приборов для метода B: метод резонансного повышения (Q - таблица) и метод преобразования натрия.

1) Принципиальная схема метода резонансного повышения (Q - таблица) показана на рисунке.Инструменты используютсяприбор для определения тангенса диэлектрической константы сульфида каучука и угла диэлектрической потериLDJD-B.

Диапазон измерений: частота от 10 кГц до 160 МГц, емкость от 30 до 540 pF, значение Q от 1 до 1000.

Принципиальная схема метода резонансного повышения (Q - таблица)

A - амперметр Rt - Сопротивление связи L - вспомогательная катушка C - стандартная емкость

Cx - образец V, V1 - вольтметр (в Q - битах)

Ошибка измерения:прибор для определения тангенса диэлектрической константы сульфида каучука и угла диэлектрической потериЛДЖД-БПогрешность емкости ±1% C, значение Q ±5%; Ошибка измерений соответствующих приборов составляет ±10%.

2) Принципиальная схема преобразования натрия показана на рисунке.

Принципиальная схема преобразования натрия

C - регулируемая емкость L - резонансная катушка Cr - трубчатая подстраиваемая емкость

Cu - основной конденсатор Cx - образец