- Электронная почта
- Телефон
-
Адрес
Шанхай, район Сунцзян, дом 88, дом 5, комната 208.
Категории продукта
Шанхайская промышленная компания Цзэнцзюнь
TH521 Полупроводниковый анализатор параметров
ДоговариваемыйОбновление на05/25
- Модель
- Природа производителя
- Производители
- Категория продукта
- Место происхождения
Обзор
Полупроводниковый анализатор параметров TH521 - это комплексное решение для проектирования схем, которое помогает разработчикам электрических электронных схем выбирать силовые устройства, подходящие для их собственных применений, и делает их электрические электронные продукты ценными. Он может оценивать все соответствующие параметры устройства в различных условиях работы, включая параметры IV (пробивное напряжение и сопротивление проводимости), конденсатор FET на трех концах, заряд сетки и потери мощности. Полупроводниковые анализаторы параметров серии TH521, используемые для проектирования схем, имеют полную функцию отслеживания кривых и другие функции.
Подробности о продукте
TH521 Полупроводниковый анализатор параметровВведение:
полупроводниковый анализатор параметровTH521-35-1800CЭто комплексное решение для проектирования схем, которое помогает дизайнерам электрических электронных схем выбирать силовые устройства, подходящие для их собственных применений, и использовать их электрические электронные продукты*Большая ценность. Он может оценивать все соответствующие параметры устройства в различных условиях работы, включаяIVПараметры (пробивное напряжение и сопротивление проводимости), три концаФЕТёмкость, заряд сетки и потеря мощности. Для проектирования цепей.ТХ521Серия полупроводниковых анализаторов параметров имеет полную функцию криволинейного трекера и другие функции.
полупроводниковый анализатор параметровTH521-35-1800CПодробное описание
ТХ521Серия полупроводниковых анализаторов параметров:
Анализатор полупроводниковых параметров серии TH521 - это комплексное решение для проектирования схем, которое помогает разработчикам электрических электронных схем выбирать силовые устройства, подходящие для их собственных применений, и использовать их электроэлектронные продукты.*Большая ценность. Он может оценивать все соответствующие параметры устройства в различных условиях работы, включаяIVПараметры (пробивное напряжение и сопротивление проводимости), три концаФЕТёмкость, заряд сетки и потеря мощности. Для проектирования цепей.ТХ521Серия полупроводниковых анализаторов параметров имеет полную функцию криволинейного трекера и другие функции.
TH521Особенности серии анализаторов параметров полупроводников:
ТХ521Обычные характеристики
• Гаода3.5kV/1800AШирокий круг работ
• от -50 БСдо +250 БСПолностью автоматический быстрый тепловой тест.
• Автоматическое создание технических данных силовых приборов (полупроводников и компонентов)
• Автоматическая регистрация предотвращает потерю данных
• ИИВспомогательная подготовкаPythonТестовый сценарий
ТХ521 IVСвойства пакета
• Полная автоматическая скорость упаковки и устройства на кристаллической окружностиIVизмерение (РонАБВУтечка,ВтАВсатИ т.д.)
• УзкийIVШирина импульса (*Узкий 10 μsПредотвращает самопроизвольное нагревание прибора, более точно измеряет действительность прибора Интерьерные свойства
• Вид осциллографа (вид временной области) позволяет контролировать фактическое напряжение/Формы импульсных волн тока, чтобы быть точными Точное измерение
• Конфигурация может быть гибко расширена, добавленарезюмеиQgПреобразовать диапазон тока из20 AРасширение до200AА600 Aили1800 A
ТХ521Полные характеристики пакета
• IVВсе характеристики пакета
• Измерение упаковки приборов в3.5 kVёмкость ввода, вывода и обратной передачи транзистора
(СиссАКоссАЦРССАCiesАКоэсАКресИ сеточное сопротивление (Рг)
• Измерение заряда сетки упаковочного устройства (Qg) Кривая
• Расчетные потери мощности (потеря проводимости, привода и переключателя)
ТХ521Технические параметры серии анализаторов параметров полупроводников:
МКСМУ | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (% МВ + МВ) |
*Большой ток |
200 мВ |
100 нВ |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1А |
2В |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1А |
20 В |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1А |
40 В |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1А |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
10μA |
10 ПА |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30В |
100μA |
100 ПА |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30В |
1 мА |
1нА |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30В |
10мА |
10нА |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30В |
100 мА |
100нА |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30В |
1А |
1УА |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30В |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±30В |
||
*Малый ток |
10 ПА |
||
импульс*Большая пустота |
5%(Пик превышает100 мАвремя) |
||
импульс*Маленькая ширина |
10μs |
||
импульс*Ширина |
100 мс(Пик превышает100 мАвремя) |
||
Постоянный ток*Большой ток |
±100 мА |
||
импульс*Большой пик |
±1А |
||
импульс*Большое базовое значение |
±50 мА(Пик превышает100 мАвремя) |
||
HCSMU | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (% МВ + МВ) |
*Большой ток |
200 мВ |
100 нВ |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20А |
2В |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20А |
20 В |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20А |
40 В |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1А |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
10μA |
10 ПА |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 В |
100μA |
100 ПА |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 В |
1 мА |
1нА |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 В |
10мА |
10нА |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 В |
100 мА |
100нА |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 В |
1А |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 В |
20А |
20μA |
±(0.4 + 2E-3+Во x 1E-4) |
20 В |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±40 В |
||
*Малый ток |
10 ПА |
||
импульс*Большая пустота |
1%(Пик превышает1Авремя) |
||
импульс*Маленькая ширина |
50μs |
||
импульс*Ширина |
1мс(Пик превышает1Авремя) |
||
Постоянный ток*Большой ток |
±100 мА |
||
импульс*Большой пик |
±20А |
||
импульс*Большое базовое значение |
±100 мА(Пик превышает1Авремя) |
||
МПСМУ | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (% МВ + МВ) |
*Большой ток |
100 мВ |
100 нВ |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 мА |
1В |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 мА |
10В |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 мА |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20 мА (≥40V) 50мА(≤40V) |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
1нА |
1fА |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10нА |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100нА |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + Во x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10 ПА |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100 ПА |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1 мА |
1нА |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10мА |
10нА |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 мА |
100нА |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 В |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±100V |
||
*Малый ток |
1fА |
||
ГВСМУ | |||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | |||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/точность измерений±(%+мВ) |
*Большой ток |
200V |
200 УВ |
±(0.03 + 40) |
10мА |
500V |
500 мкВ |
±(0,03 + 100) |
10мА |
1500V |
1.5В |
±(0.03 + 300) |
10мА |
3500V |
3.5В |
±(0.03 + 600) |
5А |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
*Высокое напряжение |
10нА |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100 ПА |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10мА |
10нА |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Типичное разрешение |
6½Б |
||
*Большое напряжение |
±3500V |
||
*Малый ток |
10fA |
||
UHCU | ||
Диапазон напряжения, разрешение и точность | ||
Диапазон напряжения |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/точность измерений±(%+мВ) |
60В |
100μV |
±(0.2+10) |
Диапазон, разрешение и точность тока |
вывод/Разрешение измерений |
вывод/Точность измерений (%+А+А) |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2мА |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
импульс*Большая пустота |
0,4%(600AИзмерения);0,1%(1800Aдиапазон измерений) |
|
импульс*Маленькая ширина |
10μs |
|
импульс*Ширина |
1мс(600AИзмерения);500μs(1800Aдиапазон измерений) |
|
импульс*Большой пик |
200AА600AА1800Aдиапазон измерений |
|
МФКМУ | ||
|
частота |
Диапазон частот |
1 кГц ~ 10 МГц |
*Разрешение малой частоты |
1 мГц |
|
Точность частоты |
±0,05% |
|
|
ACУровень |
Диапазон уровней |
0~250mV |
разрешение |
0,1 мВрмс |
|
точность |
±(10%*установленное значение+ 2 мВ) |
|
|
DCСмещение |
диапазон |
0 ~±25В |
разрешение |
1 мВ |
|
Точность |
1% *установленное напряжение+ 8 мВ |
|
выходное сопротивление |
100Ω |
|
Настройка тестового конца |
Четыре конца. |
|
Время тестирования |
быстро2,5 мсСредняя скорость90 мсМедленно.220мс |
|
ёмкость |
Показать диапазон |
0.00001pF~9.99999F |
*Высокая точность |
0,05% |
|
ТХ521Таблица выбора серии анализаторов параметров полупроводников:
TH521-35-20 |
IV: 3500В/20А |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
ТХ521Серия полупроводниковых анализаторов параметров применяется:
• полупроводниковый силовой прибор
Диод, триод,MOSFETАIGBTТестирование паразитных конденсаторов, таких как тиристоры, интегральные схемы, фотоэлектронные чипы,С-ВАнализ характеристик
• Полупроводниковый материал
Резка кристаллического круга,С-ВАнализ характеристик
• ЖК жидкокристаллический материал
Анализ упругих констант, жидкокристаллическая резка
• конденсаторный блок
конденсаторС-ВТестирование и анализ характеристик, тест - анализ конденсаторных датчиков
Похожий продукт рекомендовать
