Двуфотонный фоторезист - это фоторезист, основанный на фоточувствительном материале, который химически реагирует под действием двухфотонного поглощения. Этот процесс отличается от традиционной однофотонной литографии, в которой один фотон может вызывать возбуждение электронов и генерировать химические реакции, в то время как двухфотонная фотолитография зависит от одновременного поглощения двух низкоэнергетических фотонов. В этом случае фотохимические реакции могут происходить только при облучении светочувствительного материала высокоинтенсивным лазером в фокусе.
Основные принципы двухфотонного фоторезиста
Двуфотонный фоторезист - это фоторезист, основанный на фоточувствительном материале, который химически реагирует под действием двухфотонного поглощения. Этот процесс отличается от традиционной однофотонной литографии, в которой один фотон может вызывать возбуждение электронов и генерировать химические реакции, в то время как двухфотонная фотолитография зависит от одновременного поглощения двух низкоэнергетических фотонов. В этом случае фотохимические реакции могут происходить только при облучении светочувствительного материала высокоинтенсивным лазером в фокусе.
Двойное фотонное поглощение относится к тому, что, когда длина волны лазера длиннее, энергия двух фотонов может быть поглощена материалом одновременно. После эффекта двойного фотонного поглощения некоторые молекулы в материале происходят электронные переходы, которые изменяют их химические свойства. Ключом к этому явлению является то, что реакция двухфотонного фоторезиста происходит только в высокоэнергетической фокусной области, в то время как фоточувствительные материалы в окружающих областях не реагируют из - за нехватки фотонной энергии, что позволяет осуществлять тонкую обработку на наноуровне.
В процессе двухфотонной литографии сила лазерного луча и светочувствительность фоторезиста являются двумя решающими факторами. Высокоинтенсивный лазер фокусируется на меньшем пространстве и может эффективно запускать поглощение двойных фотонов, вызывая химические изменения, такие как пересечение или полимеризация фоточувствительных материалов. Эта особенность позволяет двухфотонной фотолитографии создавать графики с высоким разрешением в трехмерном пространстве.
Основные характеристики двухфотонного фоторезиста
1. Сверхвысокое разрешение
По сравнению с традиционной однофотонной фотолитографией, двухфотонная фотолитография имеет значительные преимущества, подчеркивая ее высокое разрешение. Поскольку двухфотонная литография зависит от эффекта фокусировки фотонов в локальной области, область реакции почти ограничена фокусом лазерного луча, что позволяет фоторезисту достигать точности до нескольких нанометров. В настоящее время двухфотонная фотолитография имеет разрешение до 10 нанометров, что выходит далеко за рамки традиционной фотолитографии и может удовлетворить спрос на нанометровую обработку.
2. Трехмерные перерабатывающие мощности
Двухфотонная фотолитография обладает уникальной способностью к трехмерной космической обработке. Традиционная фотолитография, как правило, может быть выполнена только на двухмерной плоскости, в то время как двухфотонная фоторезьба может быть точно вырезана в трехмерном пространстве, контролируя фокусное положение лазера. Эта трехмерная обрабатывающая способность позволяет двухфотонной фотолитографии иметь преимущества в микронанообработке и производстве трехмерных наноструктур.
Высокая светочувствительность и точное управление
Высокая светочувствительность позволяет запускать фотохимические реакции при очень низкой мощности лазера, что делает процесс обработки более точным и контролируемым. В то же время время время время экспозиции во время фотолитографии и размер фокусировки луча могут быть точно отрегулированы, что еще больше повышает точность обработки рисунка.
4. Низкотермический эффект
Поскольку двухфотонная литография происходит только в фокусированной области луча, другие части светочувствительного материала не подвергаются лазерному облучению, поэтому вырабатывается относительно небольшое количество тепла, избегая воздействия термических реакционных материалов, которые могут возникнуть во время традиционной фотолитографии. Это позволяет двухфотонной фотолитографии использовать преимущества при обработке некоторых термочувствительных материалов.
5. Высокая избирательность и устойчивость к обратному рассеянию
Двойной фотонный фоторезист обладает высокой избирательностью и реагирует только при интенсивном облучении лазерным фокусом, а область реакции обычно является фокусом лазера, что позволяет эффективно избегать обратного рассеяния и помех и улучшает качество рисунка фотолитографии.
III. Общие параметры:
| Параметры системы | |
| Поддержка высоты печати | ≤10мм |
| Максимальная шероховатость поверхности(Ра)
| ≤5нм |
| Минимальная ширина линии | ≤50нм(XYПлоскость) и≤300нм(ЗОсь)
|
| Минимальный цикл (XYПлоскость)
| ≤300нм; Z≤600нм; |
| Максимальная скорость сканирования | ≥100мм/с (1000мм/с@100)Удобный объектив)
|
| Точность соединения | ≤100нм(XYПлоскость)
|
| Поддержка выгравированной области (круглая) | диаметр4дюймов (можно настроить)
|
| Параметры лазера | |
| Центральная длина волны | 515±5нм |
| Средняя мощность | ≥1 Вт |
| Ширина импульса | ≤200fs |
| Устойчивость мощности | <1%РМС |
| масса луча | < 1.2 |
| Частота повторения | 80±5МГц |
| Размер системы | |
| Внешний размер | Б1700мм×Глубокий1500 мм×высокий2200мм
|
| вес | <2000 кг |
| Условия установки | Уборка помещений выше 1000*Степень сейсмической изоляции вышеВК-С
|
| Электрические условия | 220/380ВМощность>5 кВт
|
| Экологическая стабильность | 20 ± 1℃; ±0,1℃*шум<65 дБ;Влажность±5% (Регулирование температуры)
|
| Сжатый воздух | Фильтр до0,25 мкмБез масла, стабильно на0,5-0,6 МПаПоток должен быть в500-800SLPM
|
| Экологическое освещение | Жёлтый свет |