Британский чип Ossila S403 OFET

Только для лабораторных исследований на животных.

Спецификации

Британский чип Ossila S403 OFET

Приложения

Ossila High Density Substrates имеет 20 OFET, которые могут принести пользу вашим исследованиям несколькими способами. Во-первых, производственные затраты снижаются в результате более высокого объема ОФЭТ на субстрат по сравнению с эквивалентами низкой плотности. Это может помочь расширить ваш бюджет, чтобы позволить вам производить и тестировать большее количество OFET.

Во-вторых, производство ОФЭТ является гораздо более быстрым и менее трудоемким процессом. Время изготовления сокращается до 50% при использовании сборных OFET высокой плотности, освобождая больше времени для тестирования устройств. В результате этого можно производить большие объемы статистики, которые, в свою очередь, могут обеспечить более надежные и надежные исследования.

Британский чип Ossila S403 OFET

Кроме того, изменчивость OFET уменьшается, поскольку при каждом изготовлении производится большее количество OFET. В Ossila мы оптимизировали производственный процесс, чтобы производить постоянно высококачественные подложки. В этом отношении использование наших сборных субстратов вместо изготовления собственных может помочь вам собрать более надежные данные для вашего исследовательского проекта.

Сборные подложки высокой плотности идеально подходят для тестирования мобильности, поскольку они позволяют быстро и эффективно тестировать большие объемы OFET. Испытательная плата Ossila высокой плотности OFET была разработана для этой цели.

Вместо использования механической зондной станции для испытания OFET, что является деликатным и длительным процессом, испытательная плата высокой плотности позволяет испытать несколько OFET одновременно; просто опустите подложку в испытательный слот, закрепите крышку для подъема и подключите плату через ее разъемы BNC к массиву испытательного оборудования.

Британский чип Ossila S403 OFET

Плата была интеллектуально разработана для уменьшения внешнего шума, утечки тока и заблуждения емкости, чтобы обеспечить надежное и точное испытание низкого тока.

Испытательная плата Ossila High Density OFET, предназначенная для быстрого и надежного испытания нескольких OFET.

Спецификации

Мы изготовляем p-допированные кремниевые подложки с изолирующим верхним слоем оксида кремния 300 нм. Платина осаждается сверху для получения электродов ворот, которые также покрывают проводящий край подложки. Поэтому важно, чтобы край подложки был проводящим и не покрыт слоем оксида кремния. Если нет, то оксид кремния должен быть начарапан со сторон подложек, прежде чем он может быть использован.

Структура наших сборных кремниевых/оксидных субстратов.

В Ossila мы оптимизировали процесс изготовления, чтобы гарантировать, что края проводят, а подложка немедленно готова к использованию.

Мы изготовляем наши подложки высокой плотности с 5 нм титана и 100 нм платины.

Отдельные подробности и чертежи размеров каждого типа подложки см. ниже.

Линейная подложка с переменной длиной канала 1 мм х 2 мкм (S403)

Размерный рисунок подложки 1 мм х 2 мкм.

Межцифровая подложка длиной постоянного канала 22,6 мм х 5 мкм (S411)

Размерный рисунок одного из устройств 22,6 мм х 5 мкм на подложке высокой плотности.