Система химического осаждения в газовой фазе низкого давления LPCVD

1 Обзор продукцииА.

Система химического осаждения в газовой фазе низкого давления (LPCVDЭто метод, при котором газообразные соединения реагируют на поверхности фундамента при нагревании и осаждаются в стабильных твердых пленках в условиях низкого давления. Эта система используется в производстве полупроводников, электроэлектроники, фотоэлектроники иМЭМСТакие области широко используются.LPCVDБлагодаря точному контролю температуры, давления и расхода газа и других параметров система может образовывать хорошо однородную пленку на поверхности фундамента для удовлетворения различных технологических потребностей.

2 Использование оборудования:

LPCVDОсновные виды применения системы включают:

1. Пленковое осаждение: используется для осаждения различных тонкопленочных материалов, таких какПоли-Си(Поликристаллический кремний),Си3Н4(Нитрид кремния),Сио2(диоксид кремния), фосфорно - кремниевое стекло, борфосфорно - кремниевое стекло, аморфный кремний и тугоплавкие металлические силициды. Эти пленки в полупроводниковых устройствах, электроэлектронных устройствах, фотоэлектронных устройствах иМЭМСКлючевую роль играет структура.

2. Производство полупроводников: при производстве полупроводниковых интегральных схемLPCVDСистема используется для формирования таких ключевых структур, как сеточный оксид, поверхностно - пассивный слой, амортизатор напряжения нитрида, жертвенный оксидный слой и блокирующий оксидный слой.

3. Применение фотоэлектроники: в области фотоэлектроники,LPCVDСистема используется для подготовки оптических пленок, таких как световой волновод, слой с переменной скоростью преломления и антиотражающий слой, для повышения производительности устройства.

3 Особенности оборудования

LPCVDСистема имеет следующие характеристики:

1. Окружающая среда низкого давления: осаждение в условиях низкого давления помогает уменьшить столкновение и рассеяние молекул газа и улучшить однородность и качество пленки.

2. Высокоточное управление: система использует передовые технологии управления температурой, давлением и потоком газа, которые могут точно контролировать параметры процесса осаждения и обеспечивать точность и согласованность пленки.

3. Многоцелевость: способность осаждать различные тонкопленочные материалы для удовлетворения различных технологических потребностей, имеет широкий спектр применений.

4. Эффективность: Благодаря низкому рабочему давлению, среднему свободному пробегу и коэффициенту диффузии молекул газа, производительность может быть повышена путем интенсивной загрузки.

4 Технические параметры и характеристики:

1. Соответствие требованиям к высокой температуре и быстрому охлаждению для исследований графеновых и углеродных нанотрубок

2. диаметр200Кварцевая комната миллиметра

3. Внутренние кварцевые трубки спроектированы таким образом, чтобы их можно было легко разобрать и очистить.

4. Размеры пластины до диаметра150миллиметр

5. Трехзонная печь сопротивления,150Зона равномерной температуры миллиметра

6. Высокая температура1000°C

7. Использовать дроссельНДСДавление в нижней части клапана50 мТоррдо500 мТоррМежду

8. 8Кубический фут/РазделитьЭбара ESA25-DСухой вакуумный насос-Двухсухой вакуум