карбид кремния

ДоговариваемыйОбновление на05/06

Модель

Природа производителя: Производители

Категория продукта

Место происхождения

Онлайн Консультация

Обзор

Карбид кремния SiC длиннокристаллическое оборудование $r $n является профессиональным оборудованием для достижения высокого качества роста кристаллов SiC, синтеза сырья высокой чистоты, высокотемпературной термообработки кристаллов. Широко используется в области роста кристаллов SiC, синтеза сырья и термообработки кристаллов. Можно вырастить 6 / 8 дюймов кристаллических слитков.

Подробности о продукте

карбид кремния

Это достижение высокого качества.СиКПрофессиональное оборудование для роста кристаллов, синтеза сырья высокой чистоты, термообработки высокотемпературных кристаллов. Широко применяетсяСиККристаллический рост, синтез сырья, область термообработки кристаллов. Можно вырастить 6 / 8 дюймов кристаллических слитков.

карбид кремния

碳化硅SiC长晶设备

Система вакуумных полостей с более ограниченным фоновым значением вакуума достигает 5,0E - 5Pa, скорость подъема давления - 3 Па / 12h, чтобы обеспечить стабильность роста кристалла

Интеллектуальная система роста и мониторинга, для достижения различных процессов точной настройки, оптимизации процесса, мониторинга всего процесса длинных кристаллов в режиме реального времени, визуального архивирования данных

Новая конструкция индукционной нагревательной катушки эффективно повышает однородность и стабильность нагрева теплового поля
Система самоконтроля PIM, созданная 1st в отрасли, эффективно устраненаПустая трата времени.
Стабильная и надежная система водяного охлаждения, реализован водотокМониторинг температуры и расхода трубопровода в режиме реального времени обеспечивает стабильность поля комнатной температуры роста
Производство 6 - дюймовых карбидных кремниевых подложек класса P, микротрубокПлотность дефекта < 0,5 шт. / см²Сопротивление составляет 0015 - 00280

Похожий продукт рекомендовать