прибор для измерения напряжений при искривлении кристаллического круга

преимущество

• измерение полнокалиберной равномерной выборки с минимальным интервалом отбора проб0,1 мм

В сочетании с измерением деформации и напряжения.

• Визуальное отображение кристаллической формы, вызванной пленкой, позволяет рассчитать кривизну и напряжение под любым углом

* Дополнительный модуль: модуль измерения температуры при тонкопленочном напряжении(Комнатная температура.500℃）

• Богатые аналитические функции программного обеспечения, включая: трехмерную диаграмму деформации, статистику параметров деформации кристаллической окружности (БОУА,ВойнаИ т.д.),РОИчасть Анализ, распределение и распределение тонкопленочных напряжений, изменение напряжений со временем, измерение температуры тонкопленочных напряжений, расчет кривизны, полиномиальное согласование, пространственная фильтрация и другие алгоритмы последующей обработки.

Применимый объект

2-8 дюйм/ 12 дюймовая полированная кристаллическая окружность (кремний, арсенид галлия, карбид кремния и т.д.), графическая кристаллическая окружность, кристаллическая окружность связи, инкапсулированная кристаллическая окружность и т.д.;Стекло на жидкокристаллической основе; Поверхности, обработанные различными пленочными процессами

Сфера применения

Производство и контроль качества полупроводников и стеклянных кристаллов

Исследования и разработки в области производства полупроводниковых пленок

Контроль процессов и анализ неисправностей в процессах полупроводникового производства и уплотнения

Принцип обнаружения

В процессе кристаллического круга на поверхности кристаллического круга многократно осаждается пленка, а различия в характеристиках фундамента и пленочного материала приводят к искривлению, искривлению и тонкости кристаллического кругаМембранные напряжения оказывают большое влияние на качество процесса.

• Измерение трехмерного распределения деформации кристаллической окружности с использованием метода структурированного оптического отражения и вычисление распределения напряжений пленки с помощью измерения радиуса кривизны деформацииткань, характеризующаяся бесконтактным, механическим сканированием и высокой частотой отбора проб, время измерения полного диаметра кристаллической окружности ниже30-х

ПринятоСтоуниФормула и соответствующая модель для расчета распределения напряжений на тонкой пленке кристалла

прибор для измерения напряжений при искривлении кристаллического круга