рентгеновский абсорбционный спектрометр с широким спектром

Государственный научно - исследовательский приборрентгеновский абсорбционный спектрометр с широким спектромСуперXAFS T2000

Основные параметры

1.Энергетический диапазон:2-20 кЭВ
2.Световой поток в пробах:4×10⁶фотоны/с @7-9 keV

3.Разрешение энергии:0.4-0.9eV@2-5 keV
4.Энергетическое повторение：≤30 meV@24h
5.Точность регулирующего органа:Минимальный шаг сканирования энергии 0,1 эВ

Сильная применимость

Удовлетворение всем обычным испытаниям образцов в то же время может также соответствовать специальным испытаниям образцов, таким как фосфор, калий, актиний, токсичные, радиоактивные образцы и так далее.

Удобно работать

1.Встроенные параметры различных элементов, быстрое переключение измерений.
2. Предоставление типовой базы данных для упрощения процесса анализа.
3. Поддержка автоматического отбора нескольких проб, сокращение количества входов проб.
4.Дистанционный мониторинг в реальном времени, оснащенный множественной конструкцией блокировки безопасности.

Государственный научно - исследовательский приборрентгеновский абсорбционный спектрометр с широким спектромСуперXAFS T2000

Рентгеновский абсорбционный спектрометр тонкой структуры (XAFS / XES) - это неразрушающая технология, используемая для изучения локальной структуры материала и состояния электронов. Эта технология использует взаимодействие рентгеновских лучей с веществом для получения спектра ближнего поглощения (XANES) определенных элементов, расширенного спектра дальнего поглощения (EXAFS) и спектра эмиссии конкретных энергетических зон, соответственно, для анализа химического состояния и валентности элементов, структуры распределения локальной среды вокруг атомов и скрининга классов атомов распределения измеренных элементов, что является важным средством представления микроструктуры распределения кристаллических и аморфных материалов. XAFS / XES в основном используется в анализе валентности, конфигурации и электронного состояния ионов металлов в катализаторах, сплавах, керамике, загрязнителях окружающей среды, различных кристаллических и аморфных материалах и биологических образцах, а также в исследованиях динамической эволюции локальной структуры материала в тепловом поле, оптическом поле, электрическом поле и магнитном поле.